[发明专利]一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法无效
申请号: | 201010238694.4 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN102337512A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 李灿;程士敏;任通;高惠平;应品良 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/46 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 碳化 钽包覆钽丝 催化剂 制备 薄膜 方法 | ||
1.一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法,其特征在于,采用热丝化学气相沉积装置,以碳化钽包覆钽丝为催化剂,通过热丝化学气相沉积过程制备硅薄膜。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,热丝化学气相沉积具体过程为:于热丝化学气相沉积设备的沉积腔体中放入衬底,将碳化钽包覆钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上,热丝催化剂到衬底间距离1cm~8cm;对沉积系统抽真空至背景压力小于8×10-4pa;对碳化钽包覆钽丝通电加热至反应温度1400℃~2000℃,将衬底加热至温度50℃~500℃;向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为1%~50%的SiH4气体,调节系统压力1Pa~100Pa,开始热丝化学气相沉积制备硅薄膜。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述衬底为硅片,石英,玻璃,不锈钢和/或陶瓷;向沉积腔体中通入气体的流速为2sccm~100sccm;热丝化学气相沉积时间1min~5h。
4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述碳化钽包覆钽丝催化剂表面成分为TaC,核心成分主要为Ta,热丝表面TaC和核心金属Ta之间有Ta4C3和/或Ta2C中间过渡层。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的