[发明专利]一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法无效

专利信息
申请号: 201010238694.4 申请日: 2010-07-28
公开(公告)号: CN102337512A 公开(公告)日: 2012-02-01
发明(设计)人: 李灿;程士敏;任通;高惠平;应品良 申请(专利权)人: 中国科学院大连化学物理研究所
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;C23C16/46
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 马驰
地址: 116023 *** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用 碳化 钽包覆钽丝 催化剂 制备 薄膜 方法
【权利要求书】:

1.一种使用碳化钽包覆钽丝为催化剂制备硅薄膜的方法,其特征在于,采用热丝化学气相沉积装置,以碳化钽包覆钽丝为催化剂,通过热丝化学气相沉积过程制备硅薄膜。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,热丝化学气相沉积具体过程为:于热丝化学气相沉积设备的沉积腔体中放入衬底,将碳化钽包覆钽丝固定在热丝化学气相沉积设备的两个电极上,热丝催化剂到衬底间距离1cm~8cm;对沉积系统抽真空至背景压力小于8×10-4pa;对碳化钽包覆钽丝通电加热至反应温度1400℃~2000℃,将衬底加热至温度50℃~500℃;向沉积腔体中通入以H2气为稀释气体的体积浓度为1%~50%的SiH4气体,调节系统压力1Pa~100Pa,开始热丝化学气相沉积制备硅薄膜。

3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述衬底为硅片,石英,玻璃,不锈钢和/或陶瓷;向沉积腔体中通入气体的流速为2sccm~100sccm;热丝化学气相沉积时间1min~5h。

4.如权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述碳化钽包覆钽丝催化剂表面成分为TaC,核心成分主要为Ta,热丝表面TaC和核心金属Ta之间有Ta4C3和/或Ta2C中间过渡层。

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