[发明专利]一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法无效
申请号: | 201010238711.4 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN102339773A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 林英浩 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 通过 阀开度 判断 刻蚀 终止 方法 | ||
技术领域
本发明涉及PECVD设备刻蚀领域,具体为一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法,它是在PECVD设备进行腔体刻蚀清洗时,判断清洗完成的方法。
背景技术
刻蚀技术(etching technique),是在半导体工艺中,按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。
PECVD设备的刻蚀清洗指:在PECVD设备进行沉积薄膜工艺后,会有薄膜沉积到腔体内壁以及腔体里面的零部件表面上,当薄膜积累过多时,会脱落到晶圆上,严重影响薄膜工艺。所以需要在薄膜脱落前,将它们用刻蚀的方法清洗掉。
刻蚀清洗过程:在腔体内通入氧气、C2F6,打开射频,使腔体内产生等离子体,从而发生化学反应,使腔体内壁以及腔体里面的零部件上的薄膜生成气体,排走。
现有技术中,判断刻蚀终止点的方法主要有:发射光谱法、红外光谱法、RF电压监测法、质谱仪法等,其中:
(1)发射光谱法的缺点:腔体需开孔,增加成本及加工复杂性;刻蚀清洗时需采用腔体内辉光刻蚀,辉光刻蚀已逐步被淘汰。
(2)红外光谱法的缺点:成本高,有很强的专利限制(US6191864、US6228277、US6582618、US 6081334、US 5888337、US 5780315、US 5552016和US6878214等);传感器容易脏,影响精确度。
(3)RF电压监测法的缺点:刻蚀清洗时需采用腔体内辉光刻蚀,辉光刻蚀已逐步被淘汰。
(4)质谱仪法的缺点:成本极高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法,解决现有技术中存在的成本较高等问题。
本发明的技术方案是:
一种通过阀开度判断刻蚀终止点的方法,需要判断刻蚀终止点的腔体与排气管道连通,排气管道上设有阀,通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。
所述的通过阀开度判断刻蚀终止点的方法,刻蚀时,压强不变,通过排气管道上阀的开度来判断刻蚀终止点。
所述的通过阀开度判断刻蚀终止点的方法,腔体内压强3torr±0.1torr;刻蚀过程中,当阀的开度从17%变为13%时,刻蚀清洗完毕。
本发明的有益效果是:
1、成本低。在PECVD设备中;带开度的阀是必要的器件,只需监测阀的开度就能判断刻蚀清洗的终止点,不需要增加硬件成本。
2、不受专利限制。
3、可靠性高。PECVD工艺的稳定,需要由带开度的阀准确度及稳定可靠来保证。
本发明的原理如下:
当腔体内进行刻蚀清洗时,通入的气体在等离子体态下与腔内的薄膜发生化学反应,这个反应是个放气反应,当反应结束后,若保证腔内的压强不变,需要减小排气管道上阀门的开度来完成。
附图说明
图1为本发明一个实施例示意图。
具体实施方式
如图1所示,本发明需要判断刻蚀终止点的腔体1与排气管道2连通,排气管道2上设有阀3。
实施例1
如图1所示,在PECVD设备进行刻蚀清洗腔体过程中,腔体1内压强保持不变,通过监测排气管道2上阀3的开度,来判断刻蚀清洗完毕的方法。
刻蚀流程中,工艺参数如下:
氧气流量:1600sccm;
C2F6流量:1600sccm;
腔体内压强:3托(torr);
刻蚀过程中,当阀的开度从17%变为13%时,刻蚀清洗完毕。
本实施例中,采用阀的控制器可以监测阀的开度。
采用本实施例判断刻蚀终止后,试验数据如下:
表1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造