[发明专利]半导体器件组件有效
申请号: | 201010238868.7 | 申请日: | 2010-07-28 |
公开(公告)号: | CN101986179A | 公开(公告)日: | 2011-03-16 |
发明(设计)人: | 普拉萨德·雅拉曼丘里;邱向东;瑞迪·拉贾;杰伊·A.·斯基德莫尔;迈克尔·阿尤;劳拉·扎瓦拉;理查德·L.·杜斯特博格 | 申请(专利权)人: | JDS尤尼弗思公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42;H01S5/022 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 郑小粤 |
地址: | 美国加利福尼亚*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 组件 | ||
1.一种半导体器件组件,包括:
基座;
衬垫,所述衬垫被安装在所述基座上;
半导体器件子组件,其包括:
具有底表面的平台,所述底表面具有安装在所述衬垫上的平台安装区域;以及
具有活性层的半导体芯片,所述半导体芯片热耦合到所述平台,用于移除所述半导体芯片所产生的热量;
光纤支架,所述光纤支架被固定到所述半导体器件子组件上,并具有光纤安装平面;以及
光纤,所述光纤在所述光纤安装平面被固定到所述光纤支架上,并光耦合到所述半导体芯片,以接收从所述半导体芯片发出的光;
其中所述平台安装区域小于所述平台的所述底表面的总区域,从而降低了所述半导体芯片和所述光纤之间的光耦合相对于所述基座的变形的灵敏度。
2.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中包含所述活性层的平面垂直于所述光纤安装平面,从而减少所述半导体芯片和所述光纤之间的光耦合相对于所述组件的温度的相关性。
3.根据权利要求2所述的半导体器件组件,其中所述光纤是具有失真光纤透镜的透镜化光纤,所述失真光纤透镜具有相互正交的第一和第二光学平面,所述第一和第二光学平面分别平行于所述活性层平面和所述光纤安装平面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述半导体器件子组件还包括具有底表面的子支架,所述底表面具有安装在所述平台上的子支架安装区域,用于支撑所述半导体芯片,并且用于热耦合所述半导体芯片到所述平台。
5.根据权利要求4所述的半导体器件组件,其中所述光纤支架被固定到所述子支架,从而降低了所述半导体芯片和所述光纤之间的光耦合相对于所述基座的变形的灵敏度。
6.根据权利要求5所述的半导体器件组件,其中所述活性层的平面垂直于所述光纤安装平面,从而减少所述半导体芯片和所述光纤之间的光耦合相对于所述组件的温度的相关性。
7.根据权利要求6所述的半导体器件组件,其中所述光纤是具有失真光纤透镜的透镜化光纤,所述失真光纤透镜具有相互正交的第一和第二光学平面,所述第一和第二光学平面分别平行于所述活性层平面和所述光纤安装平面。
8.根据权利要求4所述的半导体器件组件,其中所述子支架安装区域和所述平台安装区域在所述光纤的长度方向上各有一段长度,其中所述子支架安装区域的长度是所述平台安装区域的长度的30%至80%。
9.根据权利要求8所述的半导体器件组件,其中所述子支架安装区域被设置在所述平台安装区域之上。
10.根据权利要求9所述的半导体器件组件,其中所述基座包括热电冷却器。
11.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述半导体芯片是激光芯片,并且其中所述半导体器件子组件是半导体激光子组件。
12.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述基座包括热电冷却器。
13.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述衬垫的材料包括氮化铝或铜。
14.根据权利要求1所述的半导体器件组件,其中所述基座的材料包括钢。
15.一种封装的激光二极管装置,包括:
权利要求10所述的半导体器件组件,其中所述半导体芯片是激光芯片,并且其中所述半导体器件子组件是半导体激光子组件,以及
框架,所述框架用于密封所述半导体激光子组件和所述光纤支架,其中所述热电冷却器被固定到所述框架的内侧。
16.根据权利要求15所述的封装的激光二极管装置,其中所述框架是具有用于所述光纤的通孔的密封封装。
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