[发明专利]一种三角锥出光面的高效发光二极管无效
| 申请号： | 201010238971.1 | 申请日： | 2010-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101908590A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 李鸿建;易贤;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 | 申请（专利权）人： | 武汉迪源光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三角 光面 高效 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种三角锥出光面的高效发光二极管，其特征在于，所述发光二极管的出光面为三角锥阵列排布。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管包括依次层叠的衬底、过渡层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、P型接触层、保护层，以及设置在N型半导体层上的N型电极和与P型接触层接触的P型电极。
3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述P型接触层的出光面成三角锥阵列排布。
4.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述保护层的出光面成三角锥阵列排布。
5.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述P型半导体层的出光面成三角锥阵列排布。
6.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述N型电极下方N型半导体层电极区的出光面成三角锥阵列排布。
7.根据权利要求1至6任一所述的发光二极管，其特征在于，所述阵列排布三角锥的结构为周期或非周期排列。
8.根据权利要求1至6任一所述的发光二极管，其特征在于，采用干法刻蚀或湿法刻蚀制作三角锥阵列排布。
9.根据权利要求1至6任一所述的发光二极管，其特征在于，阵列排布三角锥的结构为金字塔结构或圆锥结构。
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