[发明专利]固态摄像元件及其制造方法及包括该摄像元件的摄像装置

权利要求书

1.一种固态摄像元件，包括：

半导体层，在该半导体层中形成用于执行光电转换的光敏二极管；

第一膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有所述光敏二极管的区域中的所述半导体层上；

第二膜，包含负固定电荷，并且利用物理气相沉积法形成在其中包含所述负固定电荷的所述第一膜上；以及

第三膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在其中包含所述负固定电荷的所述第二膜上。

2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，

其中包含所述负固定电荷的所述第一膜和包含所述负固定电荷的所述第三膜的每个由选自包括HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、TiO₂和Ta₂O₅的组的材料制造。

3.根据权利要求1所述的固态摄像元件，

其中包含所述负固定电荷的所述第二膜由选自包括HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、TiO₂和Ta₂O₅的组的材料制造。

4.一种固态摄像元件的制造方法，包括如下步骤：

在半导体层中形成光敏二极管；

利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法，在至少形成有所述光敏二极管的区域中的所述半导体层上形成包含负固定电荷的第一膜；

利用物理气相沉积法，在包含负固定电荷的所述第一膜上形成包含负固定电荷的第二膜；以及

利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法，在包含负固定电荷的所述第二膜上形成包含负固定电荷的第三膜。

5.根据权利要求4所述的固态摄像元件的制造方法，

其中选自包括HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、TiO₂和Ta₂O₅的组的材料用作包含负固定电荷的所述第一膜和包含负固定电荷的所述第三膜的每个的材料。

6.根据权利要求4所述的固态摄像元件的制造方法，

其中选自包括HfO₂、ZrO₂、Al₂O₃、TiO₂和Ta₂O₅的组的材料用作包含负固定电荷的所述第二膜的材料。

7.一种摄像装置，包括：

聚光部，用于聚集入射光；

固态摄像元件，包括：半导体层，在该半导体层中形成用于执行光电转换的光敏二极管；第一膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在至少形成有所述光敏二极管的区域中的所述半导体层上；第二膜，包含负固定电荷，并且利用物理气相沉积法形成在包含所述负固定电荷的所述第一膜上；以及第三膜，包含负固定电荷，并且利用原子层沉积法或金属有机化学气相沉积法形成在包含负固定电荷的所述第二膜上；所述固态摄像元件用于接收由所述聚光部聚集的所述入射光，以将这样接收的所述入射光光电转换成电信号；以及

信号处理部，用于处理通过在所述固态摄像元件中的所述光电转换获得的所述电信号。