[发明专利]多晶硅棒的裂纹产生方法和裂纹产生装置有效

专利信息
申请号: 201010239811.9 申请日: 2010-07-26
公开(公告)号: CN101985226A 公开(公告)日: 2011-03-16
发明(设计)人: 林田周平 申请(专利权)人: 三菱综合材料株式会社
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B02C19/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张雨;杨楷
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 多晶 裂纹 产生 方法 装置
【权利要求书】:

1.一种多晶硅棒的裂纹产生方法,其在对多晶硅棒加热后进行急冷,由此产生裂纹,其特征在于,

该方法具有将冷却流体喷射到上述多晶硅棒的表面的一部分以在其表面成为点状的局部冷却工序。

2.根据权利要求1所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

在上述多晶硅棒的两侧沿上述多晶硅棒的长度方向隔开间隔地各配置多个喷嘴,从该喷嘴喷射上述冷却流体,并且在上述两侧中的一侧相邻的喷嘴间的中间位置的相反侧配置另一侧的喷嘴。

3.根据权利要求2所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

喷射上述冷却流体的喷嘴以该喷嘴的孔面积为0.5~20mm2、从该喷嘴前端到上述多晶硅棒的表面的距离为1~200mm的方式喷射冷却流体。

4.根据权利要求1~3中的任一项所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

在上述多晶硅棒的表面,以0.0006~0.006m3/分的流量喷射上述冷却流体。

5.根据权利要求1~3中的任一项所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

在上述局部冷却工序后,具有使冷却体接触多晶硅棒的外表面整体的整体冷却工序。

6.根据权利要求4所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

在上述局部冷却工序后,具有使冷却体接触多晶硅棒的外表面整体的整体冷却工序。

7.根据权利要求5所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

上述冷却体为冷却流体。

8.根据权利要求6所述的多晶硅棒的裂纹产生方法,其特征在于,

上述冷却体为冷却流体。

9.一种多晶硅块的制造方法,其使用权利要求5所述的多晶硅棒的裂纹产生方法来制造多晶硅棒的块,其特征在于,

在上述整体冷却工序后,具有通过打击或机械性冲击将上述多晶硅棒破碎成多晶硅块的破碎工序。

10.一种多晶硅块的制造方法,其使用权利要求6所述的多晶硅棒的裂纹产生方法来制造多晶硅棒的块,其特征在于,

在上述整体冷却工序后,具有通过打击或机械性冲击将上述多晶硅棒破碎成多晶硅块的破碎工序。

11.一种多晶硅块的制造方法,其使用权利要求7所述的多晶硅棒的裂纹产生方法来制造多晶硅棒的块,其特征在于,

在上述整体冷却工序后,具有通过打击或机械性冲击将上述多晶硅棒破碎成多晶硅块的破碎工序。

12.一种多晶硅块的制造方法,其使用权利要求8所述的多晶硅棒的裂纹产生方法来制造多晶硅棒的块,其特征在于,

在上述整体冷却工序后,具有通过打击或机械性冲击将上述多晶硅棒破碎成多晶硅块的破碎工序。

13.一种多晶硅棒的裂纹产生装置,其在对多晶硅棒加热后进行急冷,由此产生裂纹,其特征在于,

该裂纹产生装置具有:对上述多晶硅棒进行加热的加热机构;以及能够将冷却流体喷射到上述多晶硅棒的表面的一部分以在其表面成为点状的局部冷却机构。

14.根据权利要求13所述的多晶硅棒的裂纹产生装置,其特征在于,

上述局部冷却机构在上述多晶硅棒的设置位置的两侧,沿上述多晶硅棒的长度方向隔开间隔地各排列有多个用于喷射上述冷却流体的喷嘴,并且在上述两侧中的一侧相邻的喷嘴间的中间位置的相反侧配置有另一侧的喷嘴。

15.根据权利要求13或14所述的多晶硅棒的裂纹产生装置,其特征在于,

该裂纹产生装置还具备使冷却体接触上述多晶硅棒的外表面整体的整体冷却机构。

16.根据权利要求15所述的多晶硅棒的裂纹产生装置,其特征在于,

上述冷却体为冷却流体。

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