[发明专利]半导体装置及其制造方法以及电子设备

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

活性层，其由ZnO或者Mg_xZn_1-xO的多晶状态、非晶状态、或者多晶状态与非晶状态混合存在的状态的半导体组成，并且添加有氮和氢，

以及

隔离体，其使所述活性层，在所述活性层中的可移动电荷移动的区域不受气氛的影响的范围内，与气氛隔离，

所述活性层是在含有一氧化氮或者二氧化氮中的1个种类以上，与水蒸气、过氧化氢或者它们当中的1个种类以上的气氛中形成，

氮和氢和掺杂量为，当漏电极和源电极区域间的电压被固定为10V时，将半导体装置的栅电极电压的阈值电压控制为0V～3V的范围内的量。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述隔离体由不同的隔离层组成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述隔离层中的至少一个由SiO₂、Al₂O₃、AlN、MgO、Ta₂O₅、TiO₂、ZrO₂、stab-ZrO₂、CeO₂、K₂O、Li₂O、Na₂O、Rb₂O、In₂O₃、La₂O₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、KNbO₃、KTaO₃、BaTiO₃、CaSnO₃、CaZrO₃、CdSnO₃、SrHfO₃、SrSnO₃、SrTiO₃、YScO₃、CaHfO₃、MgCeO₃、SrCeO₃、BaCeO₃、SrZrO₃、BaZrO₃、LiGaO₂、LiGaO₂的混晶系(Li_1-(x+y)Na_xK_y)(Ga_1-zAl_z)O₂或者含有它们当中的至少2种的固溶体形成。