[发明专利]一种半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 201010240551.7 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN102347226A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 尹海洲;骆志炯;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；
将所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的高k介质层氮化；
在所述栅极周围形成侧墙。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述半导体器件中，氮化的高k介质层中的氮元素含量为氮原子百分比大于10％。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其特征在于，其中被所述栅极覆盖的高k介质层外围被氮化的水平深度不超过3nm。
4.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；
在所述栅极周围形成侧墙；
将所述半导体衬底上未被所述栅极和侧墙覆盖的高k介质层氮化。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述半导体器件中氮化的高k介质层中的氮元素含量为氮原子百分比大于10％。
6.根据权利要求4或5所述的制造方法，其特征在于，其中被所述侧墙覆盖的高k介质层外围被氮化的水平深度不超过3nm。
7.一种半导体器件，包括：
半导体衬底，其上依次形成有高k介质层和图形化的栅极；
侧墙，其形成于所述栅极周围，其中，
所述高k介质层具有被氮化的部分，其位于所述半导体衬底上未被所述栅极覆盖的区域。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，其中所述氮化的高k介质层还存在于所述半导体衬底与所述侧墙之间。
9.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，其中所述高k介质层的未氮化部分存在于所述半导体衬底与所述栅极之间。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件中氮化的高k介质层中的氮元素含量为氮原子百分比大于10％。
11.根据权利要求7或8所述的半导体器件，其特征在于，其中被所述栅极覆盖的高k介质层外围被氮化的水平深度不超过3nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
