[发明专利]具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个连接插塞；

通过刻蚀所述多个连接插塞之间的衬底来形成沟槽；

形成掩埋栅，以部分地填充所述沟槽；

形成间隙填充层，以将所述掩埋栅的上侧面间隙填充；

形成所述多个连接插塞的突出部分；以及

修整所述多个连接插塞的突出部分。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：形成接触孔，以暴露出修整后的所述多个连接插塞中相应的一个连接插塞。

3.如权利要求2所述的方法，其中，所述形成接触孔的步骤包括形成位线接触孔和存储节点接触孔。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述修整所述多个连接插塞的突出部分的步骤包括执行各向同性刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述形成多个连接插塞的步骤包括形成多晶硅层。

6.如权利要求1所述的方法，其中，形成所述多个连接插塞的突出部分的步骤包括使所述间隙填充层凹陷。

7.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成多个连接插塞；

通过刻蚀所述多个连接插塞之间的衬底来形成沟槽；

形成掩埋栅，以部分填充所述沟槽；

形成第一间隙填充层，以将所述掩埋栅的上侧面间隙填充；

形成所述多个连接插塞的突出部分；

修整所述多个连接插塞的突出部分；

在修整后的所述多个连接插塞的整个表面之上形成间隔电介质层；

在所述间隔电介质层之上形成第二间隙填充层；以及

将所述第二间隙填充层和间隔电介质层平坦化，以暴露出修整后的所述多个连接插塞的表面。

8.如权利要求7所述的方法，还包括以下步骤：在将所述第二间隙填充层和间隔电介质层平坦化之后，形成接触孔，以暴露出修整后的所述多个连接插塞中相应的一个连接插塞。

9.如权利要求8所述的方法，其中，所述形成接触孔的步骤包括形成位线接触孔和存储节点接触孔。

10.如权利要求7所述的方法，其中，所述修整所述多个连接插塞的突出部分的步骤包括执行各向同性刻蚀工艺。

11.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成多个连接插塞的步骤包括形成多晶硅层。

12.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成所述多个连接插塞的突出部分的步骤包括使所述第一间隙填充层凹陷。

13.一种半导体器件，包括：

衬底，在所述衬底设置有沟槽；

部分地填充所述沟槽的掩埋栅；

设置在所述掩埋栅上并从所述衬底的表面突出的间隙填充层；和

具有掩埋部分和突出部分的连接插塞，所述掩埋部分设置在所述间隙填充层之间的衬底之上，所述突出部分设置在所述掩埋部分上。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述突出部分具有比所述掩埋部分小的面积。

15.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述连接插塞包括多晶硅层。

16.如权利要求13所述的半导体器件，还包括设置于所述连接插塞上的接触。

17.如权利要求16所述的半导体器件，其中，所述接触包括位线接触和存储节点接触。