[发明专利]一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法

权利要求书

1.一种聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于依次为：半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极；其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作为电荷存储中心，第二层聚合物薄膜作为电荷阻挡层。

2.根据权利要求1所述的聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于所述的第一层酞菁铜聚合物薄膜和锑纳米晶为重复多层。

3.根据权利要求1或2所述的聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于所述的无机介质层材料为SiO₂、SiON或Al₂O₃。

4.如权利要求1所述的聚合物基的纳米晶存储器电容的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

（1）以p型（100）单晶硅片为衬底，生长一无机介质层，厚度为3－5纳米；

（2）将生长有无机介质层的单晶硅片放入热蒸发腔内，腔内基压为1×10^-5-3×10^-5毫巴，通过热蒸发，沉积厚度为5-10纳米的第一层酞菁铜聚合物薄膜；紧接着，热蒸发沉积厚度为1-3纳米的金属锑，锑纳米晶自组装形成；

（3）通过热蒸发，沉积厚度为10-30纳米的第二层酞菁铜聚合物薄膜，作为电荷阻挡层；

（4）通过热蒸发，沉积一层金属铝，作为电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤（2）中，热蒸发沉积第一层酞菁铜聚合物薄膜和热蒸发沉积金属锑，重复多次。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的无机介质层材料为SiO₂、SiON或Al₂O₃。