[发明专利]MOSFET结构及其制作方法

权利要求书

1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：

半导体衬底；

栅堆叠，位于所述半导体衬底上，所述栅堆叠包括在半导体衬底上依次形成的高k栅介质层和栅极导体层；

第一侧墙，至少环绕所述高k栅介质层的外侧，并由含La氧化物形成；以及

第二侧墙，环绕所述栅堆叠和第一侧墙的外侧，并比所述第一侧墙高。

2.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一侧墙比所述栅介质层高，且比所述栅堆叠低。

3.如权利要求2所述的晶体管，其中，所述第一侧墙比栅介质层高出的高度小于等于10nm。

4.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述高k栅介质层包括HfO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO、Al₂O₃、La₂O₃、ZrO₂、LaAlO和TiO₂中任一种或多种的组合。

5.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述含La氧化物包括La₂O₃、LaAlO、LaHfO、LaZrO中任一种或多种的组合。

6.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第一侧墙的厚度小于等于5nm。

7.如权利要求1所述的晶体管，其中，所述第二侧墙由氧化物形成。

8.如权利要求1至7中任一项所述的晶体管，进一步包括环绕所述第二侧墙的第三侧墙。

9.如权利要求8所述的晶体管，其中，所述第三侧墙由氧化物、氮化物或低k材料形成。

10.如权利要求9所述的晶体管，其中，所述低k材料包括：SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO和SiCO中的任一种或多种的组合。

11.一种制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次形成高k栅介质层和栅极导体层，对所述高k栅介质层和栅极导体层进行图案化以形成栅堆叠；

形成至少环绕所述高k栅介质层外侧的第一侧墙，所述第一侧墙由含La氧化物形成；以及

形成环绕所述栅堆叠和第一侧墙外侧的第二侧墙，所述第二侧墙比第一侧墙高。

12.如权利要求11所述的方法，其中，形成第一侧墙的步骤包括：

淀积第一氧化物层，所述第一氧化物层包括含La氧化物；

刻蚀所述第一氧化物层以形成环绕所述栅堆叠的预备第一侧墙；以及

进一步刻蚀所述预备第一侧墙，以形成至少环绕所述高k栅介质层外侧的第一侧墙。

13.如权利要求12所述的方法，其中，进一步刻蚀后，所述第一侧墙的高度比栅介质层高出的高度小于等于10nm。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述含La氧化物为La₂O₃、LaAlO、LaHfO、LaZrO中任一种或多种的组合。

15.如权利要求11所述的方法，其中，形成第二侧墙的步骤包括：

淀积第二氧化物层；以及

刻蚀所述第二氧化物层以环绕栅堆叠和第一侧墙的外侧形成第二侧墙。

16.如权利要求11至15中任一项所述的方法，在形成第二侧墙之后，该方法进一步包括：

淀积第三氧化物层、氮化物层或低k材料层，并刻蚀所述第三氧化物层、氮化物层或低k材料层以环绕所述第二侧墙的外侧形成第三侧墙。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述低k材料包括：SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO和SiCO中的任一种或多种的组合。