[发明专利]石墨烯光学调Q开关及应用

权利要求书

1.一种石墨烯光学调Q开关器件，包括SiC衬底和生长在SiC衬底上面的石墨烯材料，载有石墨烯的一面朝向激光腔内，未载有石墨烯的另一面朝向激光腔外，以石墨烯作为调Q元件，同时以SiC衬底作为输出镜。

2.根据权利要求1所述的石墨烯光学调Q开关器件，其特征在于所述生长在SiC衬底上面的石墨烯材料生长层数为1-40层。

3.根据权利要求1所述的石墨烯光学调Q开关器件，其特征在于所述生长在SiC衬底上面的石墨烯材料生长层数为1-30层；最优选为1-10层。

4.根据权利要求1所述的石墨烯光学调Q开关器件，其特征在于加工成矩形或圆形。

5.权利要求1-3任一项所述的石墨烯光学调Q开关器件的应用，用于激光器中，载有石墨烯的一面朝向激光腔内的激光增益介质，未载有石墨烯的另一面朝向激光腔外；采用端面或者侧面泵浦的方式，将泵浦光输入到激光增益介质中，所述泵浦光经过激光增益介质后再通过石墨烯调Q元件，与石墨烯调Q元件一体的SiC衬底作为输出镜与置于激光增益介质前面的前腔镜形成谐振腔；所述前腔镜镀有利于激光振荡的介质膜。

6.如权利要求4所述的石墨烯光学调Q开关器件的应用，其特征在于所述的激光增益介质是半导体、激光晶体、激光陶瓷或激光玻璃。

7.如权利要求4所述的石墨烯光学调Q开关器件的应用，其特征在于，所述的激光增益介质是Nd:YAG晶体，Nd³⁺离子浓度为0.01-0.10at.。

8.如权利要求4所述的石墨烯光学调Q开关器件的应用，其特征在于所述的泵浦源为半导体激光二极管(LD)或氙灯等能提供泵浦能量的光源。

9.如权利要求4所述的石墨烯光学调Q开关器件的应用，其特征在于所述的前腔镜与调Q元件之间的距离为0.05-10cm；优选为0.05-1cm。

10.一种脉冲激光器，包括权利要求1-3任一项所述的石墨烯光学调Q开关器件。