[发明专利]半导体发光设备及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及半导体发光设备，更具体地，涉及适于通过均匀电流提高可靠性的半导体发光设备。

背景技术

本申请要求2009年10月22日提交的韩国专利申请No.10-2009-0100922的优先权，此处以引证的方式并入其全部内容。

总体而言，发光二极管(LED)具有包括了在结晶基板上依次外延生长的n型半导电层、发光层、和p型半导电层的基本结构。发光层可以形成为双异质(DH：double hetero)结构、单量子阱(SQW)结构、和多量子阱(MQW)结构中的一种。Sic基板、GaN基板、蓝宝石基板等中的任一种都可以用作结晶基板。n型半导电层、结晶基板、和p型半导电层分别形成为包括出口电极(outlet electrode)。

图1是示意性示出根据相关技术的半导体发光设备的结构的截面图。参照图1，该半导体发光设备在结构上包括适于透光的蓝宝石基板1、形成在蓝宝石基板1上的缓冲层10、和在缓冲层10上形成的n型覆层20、有源层30和p型覆层40的依次层叠的层。

有源层具有包含InGaN的MQW结构。通过执行外延生长工艺，依次形成n型覆层20、有源层30、和p型覆层40。通过执行台面蚀刻工艺，从n型覆层20部分地去除了p型覆层40与有源层30，从而露出n型覆层20的上表面的一部分。

该发光设备还包括形成在n型覆层20的部分露出的上表面上的n型电极、和依次层叠在p型覆层40上的透明导电层50和p型电极60。透明导电层50由氧化铟锡(ITO)等形成。

以这样的方式，该半导体发光设备使用具有透光属性的蓝宝石基板1作为非导电基板。在制造具有蓝宝石基板1的半导体发光设备的同时，分别在外延生长出的层的上表面上形成p型电极60与n型电极70。

这样的半导体发光设备造成在p型电极60与n型电极70之间流动的电流过度地集中到p型覆层40与有源层30的经过蚀刻的表面。电流的这种局部过度集中的现象使得使用蓝宝石基板1的半导体发光设备的可靠性恶化。

发明内容

因此，本发明的实施方式致力于一种半导体发光设备及其制造方法，其基本上消除了由相关技术的局限和缺点而引起的一个或更多个问题。

本公开的目的是提供一种半导体发光设备及其制造方法，其适于防止电流的局部集中现象并且适于提高可靠性。

本公开的另一个目的是提供一种半导体发光设备，该半导体发光设备具有这样一种结构，该结构包括在n型覆层上形成为SiO或SiN层与金属层的双层结构并电连接到该n型覆层的电流集中防止图案。

实施方式的附加特征和优点将在下面的描述中描述且将从描述中部分地显现，或者可以通过实施方式的实践来了解。通过书面的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可以实现和获得实施方式的优点。

根据本发明的实施方式一个总的方面，一种半导体发光设备包括：基板；以网状网形状形成在所述基板上的电流集中防止图案；形成在载有所述电流集中防止图案的所述基板上的n型覆层；依次形成在所述n型覆层上的有源层和p型覆层；形成在所述n型覆层的通过对所述p型覆层和有源层进行部分蚀刻而露出的一部分上的n型电极；以及形成在所述p型覆层上的p型电极。所述电流集中防止图案形成为双层结构，该双层结构包括由SiO和SiN中的一种材料形成在所述基板上的第一层、和由金属材料形成在所述第一层上的第二层。

根据本公开实施方式的另一方面的一种半导体发光设备包括：基板；形成在所述基板上的第一n型覆层；以网状网形状形成在所述第一n型覆层上的电流集中防止图案；形成在载有所述电流集中防止图案的所述第一n型覆层上的第二n型覆层；依次形成在所述第二n型覆层上的有源层和p型覆层；形成在所述第一n型覆层的通过对所述p型覆层、有源层和第二n型覆层进行部分蚀刻而露出的一部分上的n型电极；以及形成在所述p型覆层上的p型电极。所述电流集中防止图案形成为双层结构，该双层结构包括由SiO和SiN中的一种材料形成在所述基板上的第一层、和由金属材料形成在所述第一层上的第二层。