[发明专利]制造氮化物基半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010243743.3 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101916803A | 公开（公告）日： | 2010-12-15 |
| 发明（设计）人： | 笔田麻佑子;中津弘志 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 半导体器件 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造氮化物基半导体器件的方法，包括如下步骤：
于第一衬底温度，在衬底上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层；
于第二衬底温度，在所述缓冲层上生长SiN层；
于第三衬底温度，在所述SiN层上生长第一导电类型氮化物基半导体层；和
于第四衬底温度，在所述第一导电类型氮化物基半导体层上生长发光层，
所述第一衬底温度高于所述第二衬底温度和所述第三衬底温度至少之一，所述第四衬底温度低于所述第二衬底温度和所述第三衬底温度。
2.根据权利要求1所述的制造氮化物基半导体器件的方法，其中所述第一衬底温度高于所述第二衬底温度和所述第三衬底温度二者。
3.根据权利要求1所述的制造氮化物基半导体器件的方法，其中所述SiN层的厚度设定为包括三个原子层或不足三个原子层。
4.根据权利要求1所述的制造氮化物基半导体器件的方法，还包括以下步骤：
在所述发光层上生长第二导电类型氮化物基半导体层。
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