[发明专利]倒装结构的发光二极管芯片及制作方法

权利要求书

1.一种倒装结构的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于包括步骤：

1)在一半导体衬底上采用外延法依次生长出N型半导体层、量子阱层、及P型半导体层，并在N型半导体层上制作出第一N电极，在P型半导体层上制作出用于键合的第一P电极，由此形成待键合的芯片结构；

2)在另一高导热衬底上制作出与所述芯片结构上的第一N电极及第一P电极分别对应的第二N电极和第二P电极，并使所述第二N电极和第二P电极相互电隔离，由此形成待键合的基底结构；

3)将所述芯片结构和基底结构堆叠后，采用高温高压使所述第一N电极与所述第二N电极键合、使所述第一P电极与所述第二P电极键合，由此形成发光二极管芯片。

2.如权利要求1所述的倒装结构的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：在P型半导体层和第一P电极之间形成有导电层和反射镜。

3.如权利要求1所述的倒装结构的发光二极管芯片的制作方法，其特征在于：所述第二N电极和第二P电极之间采用二氧化硅隔离。

4.一种倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于包括：

芯片结构，其包含半导体衬底层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层，N型半导体层上的第一N电极、及P型半导体层上的第一P电极；

与所述芯片结构键合的基底结构，其包含高导热衬底、相互隔离的第二N电极和第二P电极，且所述第一N电极与所述第二N电极键合、所述第一P电极与所述第二P电极键合。

5.如权利要求4所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二N电极和第二P电极之间采用二氧化硅隔离。

6.如权利要求4所述的倒装结构的发光二极管芯片，其特征在于：在P型半导体层和第一P电极之间还有导电层和反射镜。

7.一种具有倒装结构的发光二极管芯片的圆片的制作方法，其特征在于包括：

1)在一圆片上制备芯片结构阵列，其中，每一芯片结构包含半导体衬底层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、N型半导体层上的第一N电极、及P型半导体层上的第一P电极；

2)在另一圆片上制备基底结构阵列，其中，每一基底结构包含高导热衬底、相互隔离的第二N电极和第二P电极；

3)将形成有基底结构阵列的圆片进行裂片以形成多个分离的基底结构；

4)采用高温高压将具有芯片结构阵列的圆片的每一芯片结构各自与一基底结构进行第一次键合，以使各芯片结构中的第一N电极、第一P电极分别与对应的基底结构中的第二N电极、第二P电极键合；

5)采用高温高压再对第一次键合后的结构进行第二次键合由此形成具有发光二极管芯片的圆片。

8.如权利要求7所述的具有倒装结构的发光二极管芯片的圆片的制作方法，其特征在于：在P型半导体层和第一P电极之间还有导电层和反射镜。

9.如权利要求7或8所述的具有倒装结构的发光二极管芯片的圆片的制作方法，其特征在于：在步骤1)的芯片结构阵列制备过程中包括正划片步骤，即在圆片上形成了N型半导体层、量子阱层和P型半导体层后，进行划片，然后再在各分离的结构上制备第一N电极和第一P电极；或者在形成了导电层和反射镜层后进行划片，然后再制备第一N电极和第一P电极。