[发明专利]一种提高GaN基LED亮度的方法有效
| 申请号： | 201010244013.5 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102347410A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 周健华;郝茂盛;潘尧波;邢志刚;李士涛;陈诚;朱广敏;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 亮度 方法 | ||
1.一种提高GaN基LED亮度的方法，通过在蓝宝石衬底上依次生长非掺杂GaN层及半导体外延层制作LED，所述半导体外延层至少包括N型GaN层、P型GaN层，以及位于所述N型GaN层和P型GaN层之间的有源层，其特征在于，在所述蓝宝石衬底上生长非掺杂GaN层包括如下步骤：
步骤一、金属有机物化学气相淀积系统中，在没有活性氮源的气氛下通入三甲基镓，在蓝宝石衬底上形成一层金属层；
步骤二、停止通入三甲基镓，高温处理表面附有所述金属层的蓝宝石衬底，温度为900-1100℃；
步骤三、通入氨气进行氮化，然后同时通入三甲基镓和氨气，生长非掺杂GaN牺牲层；
步骤四、同时停止通入三甲基镓和氨气，再次进行高温处理，温度为900-1100℃；
步骤五、通入三甲基镓和氨气，生长所述非掺杂GaN层。
2.根据权利要求1中所述的一种提高GaN基LED亮度的方法，其特征在于：步骤一中，在氢气气氛下生长所述金属层。
3.根据权利要求1或2中所述的一种提高GaN基LED亮度的方法，其特征在于：步骤一中，生长所述金属层时，反应室温度为800-1000℃，反应室压力为200-600torr，三甲基镓流量为43μmol/min-430μmol/min，时间为0.5-5分钟。
4.根据权利要求1中所述的一种提高GaN基LED亮度的方法，其特征在于：步骤二中，高温处理的时间为3-30分钟。
5.根据权利要求1中所述的一种提高GaN基LED亮度的方法，其特征在于：步骤二中，在氢气气氛下进行所述高温处理。
6.根据权利要求1中所述的一种提高GaN基LED亮度的方法，其特征在于：步骤三中，所述非掺杂GaN牺牲层厚度为100-200nm。
7.根据权利要求1中所述的一种提高GaN基LED亮度的方法，其特征在于：步骤一和步骤二反复循环进行2-10次。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司，未经上海蓝光科技有限公司;彩虹集团公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010244013.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
