[发明专利]具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池无效
| 申请号： | 201010244543.X | 申请日： | 2010-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN102024861A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 王立康 | 申请（专利权）人： | 王立康 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 何为 |
| 地址： | 中国台湾台北*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 孔洞 板式 太阳能电池 | ||
1.一种具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，包含半导体基板、半导体层、P-N接面，该半导体层位于该半导体基板一侧的表面上，该P-N接面由该半导体基板与该半导体层构成，其特征在于：所述半导体基板包含数个深孔洞，构成孔洞区与平坦区；各深孔洞的深度为基板厚度的四分之一以上。
2.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述半导体基板为P型半导体，而该半导体层为N型半导体。
3.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述半导体基板为N型半导体，而该半导体层为P型半导体。
4.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述深孔洞经湿蚀刻、干蚀刻、激光或机械加工方式所形成。
5.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述深孔洞为独立式深孔洞。
6.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述深孔洞为沟槽状深孔洞。
7.如权利要求6所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述沟槽状深孔洞的沟槽状型态为直线型或非直线型。
8.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述深孔洞形成于该半导体基板的受光侧。
9.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述深孔洞形成于该半导体基板的背光侧。
10.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述各深孔洞的洞底表面距离该基板孔洞侧的另一侧表面五十微米以下。
11.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述半导体材料为硅、或锗等第四族元素及其化合物、或三、五族元素及其化合物。
12.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述半导体基板的受光侧及背光侧表面各含有一将电能引导输出至外部电路的电极。
13.如权利要求12所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述电极设置该半导体基板一侧的孔洞区的电池表面或平坦区的电池表面，而背光侧含有背表面场。
14.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述数个深孔洞的个别口径是从开口处向基板内部延伸呈逐渐缩小状、逐渐放大状或维持不变。
15.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述具有孔洞区与平坦区的一侧含有抗反射膜。
16.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述具有孔洞区与平坦区的一侧呈现为凹凸状的抗反射表面。
17.如权利要求1所述的具深蚀刻孔洞的基板式太阳能电池，其特征在于：所述具有孔洞区与平坦区的一侧表面呈现为凹凸状，且含有抗反射膜。
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