[发明专利]一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法

权利要求书

1.一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法，其工艺步骤为：

采用精确半刀切割方法，采用刀口具有倾斜侧面的半刀切割刀片沿电池芯片的切割道开槽，所开槽侧壁同样具有一定倾斜角度；

对开槽侧壁进行化学抛光；

在电池芯片表面覆盖充当减反射膜的透明绝缘材料，将电池芯片表面钝化防止漏电；

用刀口宽度小于半刀切割刀片宽度的常规刀片将芯片划裂，形成单个太阳电池芯片。

2.如权利要求1所述的一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法，其特征在于：半刀切割方法采用刀口具有一定倾斜侧面的切割刀片，其倾斜角度为10°～80°。

3.如权利要求1所述的一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法，其特征在于：开槽侧壁化学抛光方式可采用湿法腐蚀或干法腐蚀。

4.如权利要求1所述的一种防止边缘漏电的聚光太阳电池芯片制作方法，其特征在于：透明绝缘材料选自氮化硅、二氧化硅、二氧化钛，氧化铝、氮化铝，氟化镁或前述的任意组合之一。