[发明专利]卤化石墨与卤化石墨烯及其制备方法

权利要求书

1.一种卤化石墨的制备方法，将膨胀石墨与卤素单质在微波辐射下进行反应即得所述卤化石墨。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述微波辐射的功率为100W-1400W；所述微波辐射的时间为0.01小时-200小时；所述微波辐射的温度为-196℃-300℃。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述反应在惰性气体或真空下进行。

4.根据权利要求1-3中任一所述的方法，其特征在于：所述膨胀石墨与卤素单质的质量比为1∶0.05-1∶5000；所述卤素单质为单质溴或单质氯。

5.权利要求1-4中任一所述方法制备的卤化石墨。

6.一种卤化石墨烯的制备方法，包括以下步骤：

1)按照权利要求1-5中任一所述方法制备卤化石墨；

2)将上述卤化石墨进行分散、离心并收集上层清夜，即得所述卤化石墨烯。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤2)所述分散采用超声分散；所述超声分散的超声功率为10W-100W；超声时间为5分钟-300分钟；所述离心的离心力为10×g-10000×g；离心时间为5分钟-100分钟。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于：步骤2)所述分散在有机溶剂中进行；所述有机溶剂为二氯苯、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基乙酰胺、二氧六环、甲苯、氯仿和N-甲基吡咯烷酮中至少一种；步骤2)中还包括将得到的上层清液涂到SiO₂/Si衬底上，用氯仿洗涤并干燥的步骤。

9.卤化石墨烯，是由卤素和石墨烯组成，所述卤素和石墨烯通过C-X共价键结合，卤素占所述卤化石墨烯的质量百分含量为0.5％-4.0％，所述卤素为单质溴或单质氯。

10.根据权利要求9所述的卤化石墨烯，其特征在于：所述卤化石墨烯按照权利要求6-8中任一所述方法制备。