[发明专利]电源电路以及使用该电源电路的半导体存储电路有效
申请号: | 201010244666.3 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102081967A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 高永祚 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 郭放;黄启行 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电源 电路 以及 使用 半导体 存储 | ||
1.一种电源电路,包括:
多个驱动单元,所述多个驱动单元中的每个被配置为产生预定电压,
其中,所述多个驱动单元中被使能的驱动单元的数量根据控制脉冲的输入的数量而变化。
2.如权利要求1所述的电源电路,其中,所述多个驱动单元被配置为分别响应于多个使能信号而被使能。
3.如权利要求1所述的电源电路,其中,当不输入所述控制脉冲时,所述多个驱动单元被使能。
4.如权利要求1所述的电源电路,其中,当所述控制脉冲被输入与预定次数一样多的次数时,所述多个驱动单元被禁止。
5.如权利要求2所述的电源电路,还包括:使能控制单元,所述使能控制单元被配置为对所述控制脉冲进行计数并激活所述多个使能信号中的一个或更多个使能信号。
6.如权利要求5所述的电源电路,其中,所述使能控制单元包括:
第一计数器,所述第一计数器被配置为对所述控制脉冲进行计数并产生第一使能信号;以及
第二计数器,所述第二计数器被配置为对所述第一使能信号进行计数并产生第二使能信号。
7.如权利要求2所述的电源电路,其中,所述多个驱动单元中的每个包括:
参考电压发生部,所述参考电压发生部被配置为产生参考电压,所述参考电压用于产生所述预定电压;
差动放大部,所述差动放大部被配置为利用所述基准电压来产生所述预定电压;以及
开关部,所述开关部被配置为响应于所述多个使能信号中的任意一个而将所述差动放大部使能。
8.一种半导体存储电路,包括:
多个存储区;
多个驱动单元,所述多个驱动单元中的每个被配置为响应于使能信号而被使能并产生用于所述相应存储区的操作的预定电压;以及
使能控制单元,所述使能控制单元被配置为对控制脉冲进行计数并激活所述多个使能信号中的一个或更多个使能信号。
9.如权利要求8所述的半导体存储电路,其中,所述预定电压是用来限定所述多个存储区的数据电平的电压。
10.如权利要求8所述的半导体存储电路,其中,当不输入所述控制脉冲时,所述多个驱动单元被使能。
11.如权利要求8所述的半导体存储电路,其中,当所述控制脉冲被输入与预定次数一样多的次数时,所述多个驱动单元被禁止使能。
12.如权利要求8所述的半导体存储电路,其中,所述多个驱动单元中的每个包括:
参考电压发生部,所述参考电压发生部被配置为产生参考电压,所述参考电压用于产生所述预定电压;
差动放大部,所述差动放大部被配置为利用所述基准电压来产生所述预定电压;以及
开关部,所述开关部被配置为响应于所述多个使能信号中的任意一个而将所述差动放大部分使能。
13.如权利要求8所述的半导体存储电路,其中,所述使能控制单元包括:
第一计数器,所述第一计数器被配置为对所述控制脉冲进行计数并产生第一使能信号;以及
第二计数器,所述第二计数器被配置为对所述第一使能信号进行计数并产生第二使能信号。
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