[发明专利]电源选择装置和方法

权利要求书

1.一种电源选择装置，其特征在于，包括：

第一选择模块，用于：接收多路备选电源并从所述多路备选电源中选择电源作为内部电源；

控制模块，用于接收所述多路备选电源，并耦合至所述第一选择模块，利用所述内部电源供电，并对所述多路备选电源电压进行比较生成所述多路备选电源中的各路备选电源的控制信号；

第二选择模块，用于接收所述多路备选电源并耦合至所述控制模块，由所述各路备选电源的控制信号进行控制，以从所述多路备选电源中选择电源作为输出电源。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：电平移位模块，所述第二选择模块通过所述电平移位模块耦合至所述控制模块；所述电平移位模块用于：获取所述第二选择模块的输出电源作为该电平移位模块的反馈供电，将所述各路备选电源的控制信号的高电平转移至所述输出电源的电平。

3.如权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括：驱动模块，用于：获取所述电平移位模块输出的所述各路备选电源的控制信号，提高所述输出的各路备选电源的控制信号的驱动能力，并将提高驱动能力后的各路备选电源的控制信号输出到所述第二选择模块。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述驱动模块包括：至少一个反相器链；

所述每个反相器链，用于提高一路备选电源的控制信号的驱动能力并输出到所述第二选择模块。

5.如权利要求1-4中任一项所述的装置，其特征在于，所述第一选择模块包括：多个二极管，所述多个二极管的负极相耦合，作为所述第一选择模块的输出；每个二极管的正极用于接收多路备选电源中的一路电源。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述多个二极管中的至少一个二极管为：栅极与漏极相连的PMOS二极管。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述第一选择模块还包括：至少一个第一性能优化单元，与所述至少一个PMOS二极管的衬底、正极和负极相耦合；所述第一性能优化单元用于：将所述PMOS二极管的衬底电位调整至：所述PMOS二极管的正极电位和负极电位中的高电位。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述第一性能优化单元包括：第三PMOS管和第四PMOS管；第三PMOS管的源极耦合至第四PMOS管的栅极；第四PMOS管的源极耦合至第三PMOS管的栅极；第三PMOS管的源极耦合至所述PMOS二极管的正极；第四PMOS管的源极耦合至所述PMOS二极管的负极；

所述第三PMOS管的衬底、第四PMOS管的衬底、第三PMOS管的漏极、第四PMOS管的漏极、以及所述PMOS二极管的衬底均相连。

9.如权利要求1-4中任一项所述的装置，其特征在于，所述控制模块包括：比较器，用于对多路备选电源中的两路电源电压进行比较，得到该两路电源中一路电源的控制信号。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述比较器包括：第五PMOS管、第六PMOS管和电平移位电路；

所述第五PMOS管与第六PMOS管的栅极相连，所述第五PMOS管与第六PMOS管的漏极分别连接两路电流源，且第五PMOS管的漏极与栅极相连，所述第五PMOS管与第六PMOS管的源极分别接收所述两路电源，以对所述两路电源电压进行比较，所述第六PMOS管的漏极输出所述比较结果；

所述电平移位电路：用于接收第一选择模块选择的电源作为供电，将所述比较结果中的高电平移位至第一选择模块选择的电源的电压，以得到所述两路电源中的一路电源的控制信号。

11.如权利要求10所述的装置，其特征在于，

所述控制模块中与第五PMOS管和第六PMOS管的漏极分别连接的两路电流源均为NMOS管电流源；所述第一选择模块中集成有偏置单元，用于从所述第一选择模块内向所述NMOS管电流源的栅极提供偏置电压。

12.如权利要求1-4中任一项所述的装置，其特征在于，所述控制模块包括：多个比较器和逻辑单元；所述每个比较器分别用于对多路备选电源中的两路电源电压进行比较，得到比较结果；所述逻辑单元，耦合至所述多个比较器，用于：获取所述多个比较器的比较结果，并对所述多个比较器的比较结果进行逻辑处理得到所述各路备选电源的控制信号。