[发明专利]电源保护电路

权利要求书

1.一种电源保护电路，其包括一电源供应单元、一第一电压转换器、一第二电压转换器、一第一开关电路、一第二开关电路，所述第一开关电路连接在所述电源供应单元及所述第一电压转换器之间，所述第二开关电路连接在所述电源供应单元及所述第二电压转换器之间，所述电源供应单元用于为所述第一、第二电压转换器提供电压源，其特征在于：所述电源保护电路进一步包括一第一电压侦测电路、一第二电压侦测电路及一第一报警电路及一第二报警电路，所述第一电压侦测电路连接至所述第一电压转换器，所述第二电压侦测电路连接至所述第二电压转换器，所述第一报警电路连接至所述第一电压侦测电路，所述第二报警电路连接至所述第二电压侦测电路，当所述第一电压侦测电路的输入电压降低时，所述第一开关电路切断所述第一电压转换器，同时所述电源供应单元驱动第一报警电路发出报警信号，当所述第二电压侦测电路的输入电压降低时，所述第二开关电路切断所述第二电压转换器，同时所述电源供应单元驱动第二报警电路发出报警信号。

2.如权利要求1所述的电源保护电路，其特征在于：所述第一开关电路包括一第一晶体管，所述第二开关电路包括一第二晶体管，当所述第一电压侦测电路的输入电压降低时，所述第一晶体管切断所述第一电压转换器，当所述第二电压侦测电路的输入电压降低时，所述第二晶体管切断所述第二电压转换器。

3.如权利要求2所述的电源保护电路，其特征在于：所述第一电压转换器的输出端连接至一负载，所述第二电压转换器的输出端连接至另一负载，所述第一晶体管与第二晶体管均为P-MOS管，该第一晶体管的漏极连接至第一电压转换器的输入端，所述第一晶体管的栅极连接所述第一电压侦测电路，所述第一晶体管的源极连接至所述电源供应单元，所述第二晶体管的源极连接至所述电源供应单元，所述第二晶体管的漏极连接至所述第二电压转换器的输入端，所述第二晶体管的栅极连接至所述第二电压侦测电路。

4.如权利要求3所述的电源保护电路，其特征在于：所述第一电压侦测电路包括一第三晶体管及一第四晶体管，所述第三晶体管及第四晶体管均为NPN型三极管，所述第三晶体管的集电极连接至所述第一晶体管的栅极，所述第三晶体管的发射极连接至地，所述第三晶体管的基极连接至所述第一电压转换器的输出端，所述第四晶体管的集电极连接至所述电源供应单元，所述第四晶体管的发射极接地，所述第四晶体管的基极连接至所述电源供应单元，所述第三晶体管的集电极与第四晶体管的集电极之间相互连接。

5.如权利要求3所述的电源保护电路，其特征在于：所述第二电压侦测电路包括一第五晶体管及一第六晶体管，所述第五晶体管及第六晶体管均为NPN型三极管，所述第五晶体管的集电极通过一电阻连接至所述第二晶体管的栅极，所述第五晶体管的发射极连接至地，所述第五晶体管的基极连接至所述第二电压转换器的输出端，所述第六晶体管的集电极连接至所述电源供应单元，所述第六晶体管的发射极接地，所述第六晶体管的基极连接至所述电源供应单元，所述第五晶体管的集电极与第六晶体管的集电极之间相互连接。

6.如权利要求4所述的电源保护电路，其特征在于：所述第一报警电路包括一第七晶体管、一第八晶体管管、一第九晶体管及一第一发光二极管，所述第七晶体管为一NPN型三极管，第八晶体管与第九晶体管均为N-MOS管，该第七晶体管的基极连接至第三晶体管的集电极，第七晶体管的集电极至所述电源供应单元，第七晶体管的发射极连接至所述第四晶体管的集电极，所述第八晶体管与第九晶体管的栅极均连接至第四晶体管的集电极，所述第八晶体管的源极连接至所述第九晶体管的漏极，所述第九晶体管的源极接地，所述第八晶体管的漏极连接第一发光二极管的阴极，所述第一发光二极管的阳极通过一电阻连接至所述电源供应单元。

7.如权利要求5所述的电源保护电路，其特征在于：所述第二报警电路包括一第十晶体管、一第十一晶体管、一第十二晶体管及一第二发光二极管，所述第十晶体管为一NPN型三极管，第十一晶体管与第十二晶体管均为N-MOS管，该第十晶体管的基极连接至第五晶体管的集电极，第十晶体管的集电极至所述电源供应单元，第十晶体管的发射极连接至所述第六晶体管的集电极，所述第十一晶体管与第十二晶体管的栅极均连接至所述第八晶体管的源极与第九晶体管的漏极之间，所述第十一晶体管的源极连接至所述第十二晶体管的漏极，所述第十二晶体管的源极接地，所述第十一晶体管的漏极连接至所述第二发光二极管的阴极，所述第二发光二极管的阳极通过一电阻连接至所述电源供应单元。