[发明专利]形成单层纳米结构的方法和器件以及包含这种单层的器件有效
申请号: | 201010245267.9 | 申请日: | 2005-06-07 |
公开(公告)号: | CN102064102A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
发明(设计)人: | D·L·希尔德;K·C·克鲁登;段镶锋;刘超;J·W·帕斯 | 申请(专利权)人: | 奈米系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/40 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 单层 纳米 结构 方法 器件 以及 包含 这种 | ||
1.一种形成纳米结构阵列的方法,该方法包括:
提供固体载体,所述载体在其表面包含至少一个垂直的不连续部分,所述不连续部分包含表面上的突起或凹陷,突起或凹陷处在于固体载体的预定位置;
在固体载体上沉积溶液,所述溶液包含分散在至少一种溶剂中的纳米结构;
蒸发至少部分溶剂,使纳米结构聚集在突起上或凹陷中成阵列。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述固体载体包含第一层。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,第一层包含选自以下的材料:介电材料、氧化物、氮化物、氧化硅、氧化铪和氧化铝。
4.如权利要求2所述的方法,其特征在于,固体载体包含其上设置第一层的基材。
5.如权利要求2所述的方法,所述方法包括用含纳米结构缔合基团的组合物涂覆第一层,然后在第一层上沉积溶液。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,在固体载体上沉积溶液的步骤包括将溶液旋涂在固体载体上,将溶液浸涂在固体载体上,或者将固体载体浸在过量的溶液中。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,纳米结构包含基本呈球形的纳米结构或量子点。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,蒸发至少部分溶剂的步骤包括蒸发基本上所有溶剂。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阵列包括有序阵列。
10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阵列包含单层。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述阵列包含六方密堆积单层。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述阵列包括无序阵列。
13.一种器件,包括:
在其表面包含至少一个垂直的不连续部分的固体载体,所述不连续部分包含表面上的突起或凹陷,突起或凹陷处于固体载体的预定位置;
位于突起上或凹陷中的许多纳米结构。
14.如权利要求13所述的器件,其特征在于,纳米结构分散在至少一种溶剂中。
15.如权利要求13所述的器件,其特征在于,纳米结构基本上没有溶剂。
16.如权利要求13所述的器件,其特征在于,纳米结构构成位于突起或凹陷中的阵列。
17.如权利要求16所述的器件,其特征在于,所述阵列包括有序阵列。
18.如权利要求16所述的器件,其特征在于,所述阵列包含单层。
19.如权利要求18所述的器件,其特征在于,所述阵列包含六方密堆积单层。
20.如权利要求16所述的器件,其特征在于,所述阵列包括无序阵列。
21.如权利要求13所述的器件,其特征在于,所述固体载体包含第一层。
22.如权利要求21所述的器件,其特征在于,第一层包含选自以下的材料:介电材料、氧化物、氮化物、氧化硅、氧化铪和氧化铝。
23.如权利要求21所述的器件,其特征在于,固体载体包含其上设置了第一层的基材。
24.如权利要求21所述的器件,其特征在于,第一层包含涂层,该涂层包含带纳米结构缔合基团的组合物。
25.如权利要求13所述的器件,其特征在于,纳米结构包含基本呈球形的纳米结构或量子点。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造