[发明专利]背面照光的CMOS图像传感器无效
| 申请号： | 201010245403.4 | 申请日： | 2010-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN102347337A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 霍介光;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 cmos 图像传感器 | ||
1.一种背面照光的CMOS图像传感器，包括：
半导体衬底，具有第一表面和与之相对的第二表面；
所述半导体衬底包括至少一个像素单元区域；
深沟槽结构，位于相邻像素单元区域之间；
其特征在于，所述深沟槽结构贯穿所述半导体衬底的第一表面和第二表面，所述深沟槽结构包括填充层和第一绝缘层，其中第一绝缘层位于填充层和相邻像素单元区域之间，所述填充层材料为N型掺杂物质，所述深沟槽结构上输入控制信号，所述控制信号的电位为0.5～1V。
2.如权利要求1所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述深沟槽结构的深度范围为1.5～4微米，宽度小于等于0.25微米。
3.如权利要求1所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述N型掺杂物质为N型重掺杂多晶硅。
4.如权利要求3所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述N型重掺杂多晶硅的掺杂杂质为P、AS、Sb，掺杂杂质的剂量范围为5E13～1E16cm-2。
5.如权利要求1所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，还包括导电栓塞，所述导电栓塞位于所述深沟槽结构上方，所述导电栓塞上方具有金属互联线，所述金属互联线与所述控制信号电连接，所述控制信号经过所述金属互联线、导电栓塞输入所述深沟槽结构。
6.如权利要求5所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述导电栓塞的材质为金属，所述金属为钨。
7.如权利要求5所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述金属互联线的材质为金属，所述金属包括铝、铝合金、铜。
8.如权利要求1所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为氧化硅、氮氧化硅或者氮化硅。
9.如权利要求1所述的背面照光的CMOS图像传感器，其特征在于，所述第一绝缘层的厚度范围为30～200埃。
10.一种背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一表面和与之相对的第三表面，所述半导体衬底包括至少一个像素单元区域；
沿所述半导体衬底第一表面在半导体衬底内形成深沟槽结构，所述深沟槽结构位于相邻像素单元区域之间，所述深沟槽结构包括填充层和第一绝缘层，其中第一绝缘层位于填充层和相邻像素单元区域之间，所述填充层材料为N型掺杂物质，所述深沟槽结构上输入控制信号，所述控制信号的电位为0.5～1V；
沿所述第三表面对所述半导体衬底进行减薄至露出深沟槽结构，即停止在第二表面。
11.如权利要求10所述的背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述深沟槽结构的深度范围为1.5～4微米，宽度为小于等于0.25微米。
12.如权利要求10所述的背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述沿所述半导体衬底第一表面在半导体衬底内形成深沟槽结构包括步骤：
在第一表面的相邻像素单元区域之间形成沟槽开口；
在所述沟槽开口的侧壁形成第一绝缘层，所述第一绝缘层的厚度为30～200埃；
所述沟槽开口内形成填充层，所述填充层的材质为N型掺杂物质，所述填充层与第一绝缘层相邻。
13.如权利要求12所述的背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述N型掺杂物质为N型重掺杂多晶硅。
14.如权利要求12所述的背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材质为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅。
15.如权利要求12所述的背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，在形成深沟槽结构之后，在所述深沟槽结构上方形成金属互联线形成导电栓塞，所述导电栓塞位于所述深沟槽结构上方；
在所述导电栓塞上方具有金属互联线，所述金属互联线与所述控制信号电连接，所述控制信号经过所述金属互联线、导电栓塞输入所述深沟槽结构。
16.如权利要求13所述的背面照光的CMOS图像传感器的制作方法，其特征在于，所述N型重掺杂多晶硅通过原位扩散工艺直接形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司，未经格科微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010245403.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种乳化液喷嘴
- 下一篇：汽车减震器内支撑管的侧滑块切边模具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
