[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞，其布置在有源区上，所述第二导电插塞设置在所述第一导电插塞和所述第三导电插塞之间；

位线，其电连接至所述第二导电插塞并且通过所述有源区的上方；以及

第一存储节点和第二存储节点，其分别电连接至所述第一导电插塞和所述第三导电插塞。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一存储节点和所述第二存储节点延伸穿过所述位线。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，

所述第一存储节点和所述第二存储节点的底部具有在所述位线的纵向上延伸的狭长开口形状。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：

绝缘层，其布置在所述第一存储节点和所述第二存储节点的侧壁的下部上。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述绝缘层布置在所述位线的侧壁上。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述绝缘层包括氧化物层或氮化物层，并且所述绝缘层具有50埃到100埃的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述第一存储节点和所述第二存储节点的上部具有圆筒形形状，并且每个所述存储节点的下部具有凹缩形状。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

介电层，其布置在所述第一存储节点和所述第二存储节点的表面上；以及

上电极，其布置在所述介电层的表面上，

其中，所述介电层包括ZrO₂、Al₂O₃和ZrO₂的堆叠结构。

9.一种半导体器件，包括：

有源区，其形成于基板上；

栅极图案，其形成于所述有源区中；

第一导电插塞和第二导电插塞，所述第一导电插塞形成于所述栅极图案的第一侧，所述第二导电插塞形成于所述栅极图案的第二侧；

位线，其电连接至所述第一导电插塞；以及

存储节点，其连接至所述第二导电插塞，

其中，所述存储节点和所述位线形成在与所述有源区的截面平面相同的截面平面上。

10.一种半导体器件的制造方法，包括：

在有源区上形成第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞，所述第二导电插塞设置在所述第一导电插塞和所述第三导电插塞之间；

形成位线，所述位线电连接至所述第二导电插塞并且通过所述有源区的上方；以及

形成第一存储节点和第二存储节点，所述第一存储节点和所述第二存储节点分别电连接至所述第一导电插塞和所述第三导电插塞，

其中，所述位线、所述第一存储节点和所述第二存储节点形成在与所述有源区的截面平面相同的截面平面上。

11.一种半导体器件的制造方法，包括：

形成布置在有源区上的第一导电插塞、第二导电插塞和第三导电插塞，所述第二导电插塞设置在所述第一导电插塞和所述第三导电插塞之间；

形成位线，所述位线电连接至所述第二导电插塞并且通过所述有源区的上方；以及

形成分别电连接至所述第一导电插塞和所述第三导电插塞的第一存储节点和第二存储节点，所述第一导电插塞接触所述有源区的一端，并且所述第三导电插塞接触所述有源区的相对端。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括：

在形成所述第一导电插塞、所述第二导电插塞和所述第三导电插塞之前，形成凹入式栅极。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，

形成所述位线的步骤包括：

在所述第一导电插塞、所述第二导电插塞和所述第三导电插塞上形成第一层间绝缘层；

在所述第一层间绝缘层上形成第一感光图案以使所述第二导电插塞露出；

使用所述第一感光图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一层间绝缘层；

形成埋入在所述第一层间绝缘层的被蚀刻部分内的位线导电层；

在所述位线导电层上形成第二感光图案以覆盖所述有源区；以及

使用所述第二感光图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述位线导电层。