[发明专利]基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法

权利要求书

1.一种基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法，其特征在于具体步骤如下：

(1)超亲水纳米TiO₂膜的制备

将铟锡氧化物导电玻璃分别用去离子水、乙醇、1mol/L的KOH水溶液超声清洗半小时，去离子水洗净并吹干，将锐钛矿纳米TiO₂溶胶通过旋涂法修饰在铟锡氧化物导电玻璃上，并在723K下烧结1h，得到超亲水纳米TiO₂膜；

(2)超亲水纳米TiO₂表面超疏水/亲水模板的制备

将步骤(1)制得的超亲水纳米TiO₂膜浸泡在含烷氧基硅基的长链脂肪烃的乙醇溶液中，将光掩膜放在TiO₂膜背面，用10-80mW/cm²紫外光从光掩膜一侧光照5-200min，得到纳米TiO₂表面超疏水/亲水模板；

(3)贵金属纳米粒子表面超疏水/亲水模板的制备

将贵金属离子水溶液滴加到步骤(2)所得的纳米TiO₂表面超疏水/亲水模板上，将光掩膜放在该模板背面，用10-80mW/cm²紫外光从光掩膜一侧光照1-60min，即制得所需产物。

2.根据权利要求1所述的一种基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法，其特征在于步骤(2)中使用的含烷氧基硅基的长链脂肪烃为十八烷基三乙氧基硅烷，十八烷基三乙氧基硅烷与乙醇体积比为1∶5-1∶10，修饰十八烷基三乙氧基硅烷的时间为12-72h。

3.根据权利要求1所述的一种基于光催化技术的半导体纳米及金属纳米微电极阵列的制备方法，其特征在于步骤(3)中使用的贵金属离子水溶液是金、银、钯或铂离子水溶液中的一种。