[发明专利]用于前段工艺制造的原地干洗腔有效
申请号: | 201010246116.5 | 申请日: | 2005-02-25 |
公开(公告)号: | CN101916740A | 公开(公告)日: | 2010-12-15 |
发明(设计)人: | C-T·高;J-P·周;C·赖;S·阿姆托艾;J·休斯顿;S·郑;M·张;X·袁;Y·张;X·陆;W·W·王;S-E·潘 | 申请(专利权)人: | 应用材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/00;H01J37/32 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 前段 工艺 制造 原地 干洗 | ||
1.一种衬底支撑装置,包括:
一个主体,所述主体具有通过其布置的一个或多个流体管道;
一个布置在所述主体第一端上的支撑构件,所述支撑构件具有在其上表面中形成的一个或多个流体通道,其中每个流体通道与所述一个或多个流体管道流体连通;和
一个其中形成有多个孔的第一电极,所述第一电极被布置在所述支撑构件的上表面上,以使所述多个孔中的每一个与在所述支撑构件上表面形成的一个或多个流体通道中的至少一个流体连通。
2.根据权利要求1所述的衬底支撑装置,进一步包括一个冷却介质源,其与所述一个或多个流体管道流体连通。
3.根据权利要求1所述的衬底支撑装置,其中所述一个或多个流体管道中的至少一个与一个真空泵流体连通,所述真空泵用于将一个衬底卡到所述第一电极。
4.根据权利要求1所述的衬底支撑装置,其中所述第一电极是一个可拆卸构件,其搁置在所述支撑构件上表面上。
5.根据权利要求1所述的衬底支撑装置,其中所述第一电极包括多个布置在其上表面的凸起凹坑,以减少与其上支撑的衬底的接触。
6.根据权利要求1所述的衬底支撑装置,进一步包括一个环状环,其布置在所述支撑构件外圆周的周围。
7.一种衬底支撑装置,其包括:
一个主体,所述主体具有通过其布置的至少一个气体管道和至少两个液体管道;
一个布置在所述主体第一端上的支撑构件,所述支撑构件具有一个在其上表面中形成的通道,所述通道与所述至少一个气体管道流体连通,所述支撑构件还具有在其中形成的热交换通路,所述热交换通路与所述至少两个液体管道流体连通;和
一个其中形成有多个孔的第一电极,所述第一电极被布置在所述支撑构件的上表面上,以使所述多个孔中的每一个与在所述支撑构件上表面形成的通道流体连通。
8.根据权利要求7所述的衬底支撑装置,进一步包括一个环状环,其布置在所述支撑构件外圆周的周围。
9.根据权利要求7所述的衬底支撑装置,其中所述第一电极具有一个凹的上表面,所述上表面具有凸起凹坑以减少与其上支撑的衬底的接触。
10.根据权利要求7所述的衬底支撑装置,进一步包括:
可移动支撑销,其中所述第一电极具有穿过所述第一电极形成的一个或多个孔,并且所述支撑构件具有用于引导所述可移动支撑销的对应的孔;和
陶瓷套,每个对应孔衬有所述陶瓷套,以减少与所述可移动支撑销的摩擦。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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