[发明专利]电荷帮浦有效
申请号: | 201010246224.2 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102347687A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 吴俊毅;谢维致;张铭宏;黄威 | 申请(专利权)人: | 宏碁股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷 | ||
1.一种电荷帮浦,其特征在于包含:
一第一叠接部,包括一第一晶体管及一第二晶体管,该第一晶体管与该第二晶体管的源极相互耦接,且该第一晶体管与该第二晶体管的栅极相互耦接于一第一节点;
一第二叠接部,包括一第三晶体管及一第四晶体管,该第三晶体管与该第四晶体管的源极相互耦接,且该第三晶体管与该第四晶体管的栅极相互耦接于一第二节点,该第一晶体管的漏极耦接与该第三晶体管的漏极;
一第三叠接部,包括一第五晶体管及一第六晶体管,该第五晶体管与该第六晶体管的源极相互耦接,且该第五晶体管与该第六晶体管的栅极相互耦接于一第三节点,该第五晶体管的漏极耦接与该第二晶体管的漏极;
一第四叠接部,包括一第七晶体管及一第八晶体管,该第七晶体管与该第八晶体管的源极相互耦接,且该第七晶体管与该第八晶体管的栅极相互耦接于一第四节点,该第七晶体管的漏极耦接与该第四晶体管的漏极,该第六晶体管与该第八晶体管的漏极相互耦接于一输出端;
其特征在于:
一第一电容,其中一端耦接该第二节点,且其中另一端接收一第一时脉信号;
一第二电容,其中一端耦接该第一节点,且其中另一端接收一第二时脉信号;
一第三电容,其两端分别耦接该第一节点及该第四节点;
一第四电容,其两端分别耦接该第二节点及该第三节点;
一第一二极管连接式晶体管,其源极耦接该第二节点,且其漏极与栅极耦接该第三节点;
一第二二极管连接式晶体管,其源极耦接该第一节点,且其漏极与栅极耦接该第四节点;
一第一输出端晶体管,其源极耦接该第四节点,且其漏极与栅极相互耦接于该输出端;及
一第二输出端晶体管,其源极耦接该第三节点,且其漏极与栅极相互耦接于该输出端。
2.如权利要求1所述的电荷帮浦,其特征在于其中所述的第一电容为一第一源漏极耦接晶体管电容,该第一源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第二节点,该第一源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接且接收该第一时脉信号;该第二电容为一第二源漏极耦接晶体管电容,该第二源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第一节点,该第二源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接且接收该第二时脉信号;该第三电容为一第三源漏极耦接晶体管电容,该第三源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第四节点,该第三源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接于该第一节点;该第四电容为一第四源漏极耦接晶体管电容,该第四源漏极耦接晶体管的栅极耦接该第三节点,该第四源漏极耦接晶体管的源极与漏极相互耦接于该第二节点。
3.如权利要求2所述的电荷帮浦,其特征在于其中所述的第一晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管、该第七晶体管、该第一输出端晶体管及该第二输出端晶体管为N型金氧半导体晶体管;该第二晶体管、该第四晶体管、该第六晶体管、该第八晶体管、该第一二极管连接式晶体管、该第二二极管连接式晶体管为P型金氧半导体晶体管。
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