[发明专利]一种适用于宽转换比升压变换器的自适应电流检测电路无效

专利信息
申请号: 201010246361.6 申请日: 2010-08-05
公开(公告)号: CN101937014A 公开(公告)日: 2011-01-05
发明(设计)人: 程林;李叶;倪金华;洪志良 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;H02M3/02
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;盛志范
地址: 20043*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 转换 升压 变换器 自适应 电流 检测 电路
【权利要求书】:

1.一种适用于升压直流-直流变换器的自适应电流检测电路,其特征在于包括:单周期双采样电路(1)、基准电平产生电路(2)和增益自适应电路(3);其中:

单周期双采样电路(1)用于产生两个采样信号:电感电流信号与输出电压信号;这两个信号提供给增益自适应电路(3);基准电平产生电路(2)产生一个基准电平,提供给增益自适应电路(3);增益自适应电路(3)利用单周期双采样电路(1)和基准电平产生电路(2)提供的信号,产生所需的与输出电压自适应的电感电流采样信号。

2.根据权利要求1所述的适用于升压直流-直流变换器的自适应电流检测电路,其特征在于:所述的单周期双采样电路(1)中,VLX与电阻R3的左端及第一采样开关的左端相连,电阻R3的右端与第二采样开关的左端及电阻R4的上端相连,电阻R4的下端与第三MOS管(M3)的漏端相连,第三MOS管(M3)的栅端和源端分别与第三MOS管(M3)的漏端和地相连;第二采样开关的右端与电容C2的上端相连,电容C2的下端与地相连;第一采样开关的右端与电阻R1的左端相连,电阻R1的右端与电阻R2的上端及电容C1的上端相连,电阻R2的下端和电容C1的下端均与地相连;

在功率管开启时,功率管的漏端电压为电感电流乘以其导通电阻,采样此电压作为电感电流采样信号即第一采样信号;在功率管关闭时,功率管漏端电压为输出电压加上二极管的压降,将此信号经过处理后采样保持作为输出电压采样信号即第二采样信号。

3.根据权利要求2所述的适用于升压直流-直流变换器的自适应电流检测电路,其特征在于:所述的基准电平产生电路(2)中,第一放大器(A1)的正输入端接片上直流电平,其输出端与第五MOS管M5的栅端相连,其负输入端与第五MOS管(M5)的源端及电阻R5的上端相连,电阻R5的下端接地;第五MOS管(M5)的漏端与第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)的栅端及第六MOS管(M6)的漏端相连,第六MOS管(M6)、第七MOS管(M7)的源端均与VDD相连;第七MOS管(M7)的漏端与电阻R6的上端相连,电阻R6的下端与第四MOS管(M4)的漏端相连,第四MOS管(M4)的栅端和源端分别与第四MOS管(M4)的漏端和地相连。

4.根据权利要求3所述的适用于升压直流-直流变换器的自适应电流检测电路,其特征在于:所述的增益自适应电路(3)中,第二放大器(A2)的正输入端接第一采样信号,其输出端与第十MOS管(M10)的栅端相连,其负输入端与第十MOS管(M10)的源端及第一MOS管(M1)的漏端相连,第一MOS管(M1)的栅端和源端分别接基准电平和地;第十MOS管(M10)的漏端与第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)的栅端及第八MOS管(M8)的漏端相连;第八MOS管(M8)、第九MOS管(M9)的源端均与VDD相连;第九MOS管(M9)的漏端与第二MOS管(M2)的漏端相连,第二MOS管(M2)的栅端和源端分别接第二采样信号和地。

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