[发明专利]一种化学机械抛光液有效
申请号: | 201010246594.6 | 申请日: | 2010-08-06 |
公开(公告)号: | CN102344760A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 王晨;何华锋 | 申请(专利权)人: | 安集微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C23F3/04 |
代理公司: | 上海翰鸿律师事务所 31246 | 代理人: | 李佳铭 |
地址: | 201203 上海市浦东新区张江高*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 | ||
1.一种化学机械抛光液,其包括:水,研磨剂,能侵蚀钨的化合物,和至少一种钨侵蚀抑制剂,其中所述钨侵蚀抑制剂为含有双键的酰胺。
2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述钨侵蚀抑制剂为丙烯酰胺。
3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述钨侵蚀抑制剂含量为质量百分比0.01%~0.5%。
4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述能侵蚀钨的化合物包括至少一种氧化剂。
5.根据权利要求4所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述氧化剂为过氧化物。
6.根据权利要求5所述的所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述过氧化物为过氧化氢。
7.根据权利要求6所述的所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述过氧化氢含量为质量百分比0.1~5%。
8.根据权利要求7所述的所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述过氧化氢含量为质量百分比1~2%。
9.根据权利要求4所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述能侵蚀钨的化合物进一步包含提高钨抛光速度的添加剂。
10.根据权利要求9所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述添加剂含有银离子和硫酸根离子。
11.根据权利要求10所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述银离子来自于银盐。
12.根据权利要求11所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述银离子来自于氟化银、高氯酸银、硫酸银或硝酸银。
13.根据权利要求11所述的化学机械抛光液,其中,所述银盐重量百分比为0.05%~0.3%。
14.根据权利要求10所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述硫酸根离子来自于硫酸盐。
15.根据权利要求14所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述硫酸根离子来自于非金属的硫酸盐。
16.根据权利要求15所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述非金属硫酸盐为硫酸铵。
17.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述的化学机械抛光液进一步含有pH调节剂。
18.根据权利要求1所述的化学机械抛光液,其特征在于,所述的化学机械抛光液的pH值为0.5~5。
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