[发明专利]蚀刻气体的控制系统

权利要求书

1.一种蚀刻气体的控制系统，其特征在于包括：

一个质量流量控制单元，它控制那些输入到内室中的蚀刻气体的质量流量；

一个流率控制单元，它将蚀刻气体输配给一个顶部气体注射器和一个侧部气体注射器，其中这两个注射器分别与质量流量控制单元相连，并均安装在内室中；和

一个调节气体控制单元，它将一种外加气体和调节气体分别输配补充给质量流量控制单元和流率控制单元，其中所述的外加气体和调节气体会控制内室中等离子体的离子密度和分布。

2.如权利要求1所述的系统，其特征在于所述的流率控制单元包括一个流率控制器和一个气体输配管，

其中所述的气体输配管包括：

若干个输出管；

从输出管一侧分支出来、并分别与顶部气体注射器的中部喷嘴和侧部喷嘴相连的第一和第二补充管；和

从输出管另一侧分支出来、并分别与顶部气体注射器和侧部气体注射器的侧部喷嘴相连的第三和第四补充管。

3.如权利要求2所述的系统，其特征在于所述的第二和第三补充管与一个第五补充管连成一体后与顶部气体注射器的侧部喷嘴相连。

4.如权利要求2所述的系统，其特征在于第一、第二、第三和第四补充管以及质量流量控制单元中设置的输出管均安装了开关阀门。

5.如权利要求1所述的系统，其特征在于所述的调节气体控制单元包括：

一个向质量流量控制单元补充外加气体的外加气体补充器；和

一个向流率控制器补充调节气体的调节气体补充器。

6.如权利要求5所述的系统，其特征在于所述的调节气体控制单元包括若干个调节气体流动控制器，它们会分别补充一种或多种不同的调节气体。

7.如权利要求5所述的系统，其特征在于所述的调节气体补充器包括：

一个补充等离子体活性气体的第一调节气体流量控制器；和

一个补充外加蚀刻气体的第二调节气体流量控制器。

8.如权利要求7所述的系统，其特征在于所述的外加气体补充器通过一根第六补充管与质量流量控制单元的输出管相连，所述的第一调节气体流量控制器和第二调节气体流量控制器通过一根第七补充管与气体输配管相连。

9.如权利要求8所述的系统，其特征在于所述的流率控制单元包括一个流率控制器和一个气体输配管，

其中所述的气体输配管包括：

若干根输出管；

从输出管一侧分支出来、并分别与顶部气体注射器的中部喷嘴和侧部喷嘴相连的第一和第二补充管；和

从输出管另一侧分支出来、并分别与侧部喷嘴和侧部气体注射器相连的第三和第四补充管，

其中所述的第二和第三补充管与第五补充管连成一体后与侧部喷嘴相连，并且

其中所述的第七补充管安装了一个分支点(D)，该分支点(D)安装了多根分别与第一、第四和第五补充管相连的分支管。

10.如权利要求9所述的系统，其特征在于分别在第一调节气体流量控制器、第二调节气体流量控制器和分支管中设置的输出管均安装了开关阀门。

11.如权利要求8所述的系统，其特征在于所述的第六补充管安装了一个分支点(C)，此外该第六补充管还设有一根连接管，该连接管连接了分支点(C)和第七补充管。

12.如权利要求11所述的系统，其特征在于分别从分支点(C)和连接管中分支出来的第六补充管安装了开关阀门。

13.如权利要求7所述的系统，其特征在于所述的活性气体是氧气(O₂)或氮气(N₂)。