[发明专利]有机发光二极管的制作方法无效

专利信息
申请号: 201010247386.8 申请日: 2010-08-05
公开(公告)号: CN102376900A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 周卓辉;黄珮瑜 申请(专利权)人: 国立清华大学
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光二极管 制作方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管的制作方法,包括以下步骤:

(A)提供一基板,其一表面设置有一第一电极;

(B)于该第一电极上,使用一第一溶液进行一第一成膜步骤,以形成一第一发光层,其中该第一溶液包括一第一溶剂及一第一染料;

(C)于该第一发光层上,使用一第二溶液进行一第二成膜步骤,以形成一第二发光层,其中该第二溶液包括一第二溶剂及一第二染料,且该第一溶剂与该第二溶剂为相异溶剂并满足下列至少一条件:该第一溶剂与该第二溶剂的偶极矩差异为0.5D以上、或该第一溶剂的黏滞度为0.3mPa·s以上;以及

(D)形成一第二电极于该第二发光层上。

2.如权利要求1所述的制作方法,其中,该第一溶剂及该第二溶剂分别为二氯甲烷及甲苯、甲苯及二氯甲烷、或二氯甲烷及二甲醚。

3.如权利要求1所述的制作方法,其中,该第一溶液还包括一第一主体材料。

4.如权利要求1所述的制作方法,其中,该第二溶液还包括一第二主体材料。

5.如权利要求1所述的制作方法,其中,该第一染料包括MDP3FL及DSB。

6.如权利要求4所述的制作方法,其中,该第二染料包括Ir(piq)2(acac)、Ir(2-phq)3、CF3BNO及Flrpic。

7.如权利要求4所述的制作方法,其中,该第二主体材料为CBP。

8.如权利要求1所述的制作方法,于该步骤(B)前还包括一步骤(A1):形成一空穴注入层于该第一电极上,其中该第一成膜步骤于该空穴注入层上进行。

9.如权利要求1所述的制作方法,于该步骤(D)前还包括一步骤(C1):形成一电子传输层于该第二发光层上,其中该第二电极形成于该电子传输层上。

10.如权利要求1所述的制作方法,于该步骤(D)前还包括一步骤(C2):形成一电子注入层于该第二发光层上,其中该第二电极形成于该电子注入层上。

11.如权利要求11所述的制作方法,于该步骤(D)前且该步骤(C1)的后还包括一步骤(C2):形成一电子注入层于该电子传输层上,其中该第二电极形成于该电子传输层上。

12.如权利要求1所述的制作方法,于该步骤(C)前还包括一步骤:(B1)于该第一发光层上,使用一第三溶液进行一第三成膜步骤,以形成一中间层,其中该第三溶液包括一第三溶剂及一中间层材料,且该第三溶剂与该第二溶剂相同。

13.如权利要求12所述的制作方法,其中,该中间层材料为一主体材料、一荧光染料或其混合物。

14.如权利要求12所述的制作方法,其中,该中间层材料为TCTA、CBP、4P-NPD、TPBi、Alq3或其混合物。

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