[发明专利]一种制作半导体薄膜材料的方法无效
| 申请号： | 201010247769.5 | 申请日： | 2010-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN102375030A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李冬梅;汪幸;刘明;周文;侯成诚;闫学锋;谢常青;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01N29/02 | 分类号： | G01N29/02;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体 薄膜 材料 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制作半导体薄膜材料的方法，其特征在于，该方法是在声表面波气体传感器的制造过程中，在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液，并真空烘干而形成敏感膜的。
2.根据权利要求1所述的制作半导体薄膜材料的方法，其特征在于，所述在双延迟线型振荡器的一条延迟线上滴涂三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液之前，进一步包括：配制三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的制作半导体薄膜材料的方法，其特征在于，所述配制三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液，具体包括：
研磨碳纳米管10至30分钟，将研磨好的10至200mg碳纳米管加入到50至100ml的三乙醇胺溶液中，并在常温下超声波振荡60分钟，形成三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液。
4.根据权利要求1所述的制作半导体薄膜材料的方法，其特征在于，所述滴涂三乙醇胺与碳纳米管的混合溶液，是在双延迟线型振荡器的一条延迟线的敏感区域滴涂10至50μl的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的制作半导体薄膜材料的方法，其特征在于，所述真空烘干，是在真空环境下干燥至少2个小时。
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