[发明专利]一种发光半导体芯片的封装结构及其封装方法无效

专利信息
申请号: 201010247894.6 申请日: 2010-08-06
公开(公告)号: CN101975340A 公开(公告)日: 2011-02-16
发明(设计)人: 敬俊;林娇燕 申请(专利权)人: 敬俊
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V19/00;F21V3/02;F21V3/04;F21V9/10;F21V29/00;F21V23/00;F21V7/00;H01L33/48;H01L33/64;F21Y101/02
代理公司: 广州致信伟盛知识产权代理有限公司 44253 代理人: 伍嘉陵
地址: 637400 四川省*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 发光 半导体 芯片 封装 结构 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种发光半导体芯片的封装结构,包括发光半导体芯片(3)、灯罩(1),其特征在于:所述的发光半导体芯片(3)固定在发光半导体芯片托架(2)上;所述灯罩(1)与发光半导体芯片托架(2)固定连接并形成封闭空腔(4),发光半导体芯片(3)位于封闭空腔(4)中。

2.根据权利要求1所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的灯罩(1)为一体成型的整体,其下端开口,通过开口与发光半导体芯片托架(2)固定连接并形成封闭空腔(4),发光半导体芯片(3)位于封闭空腔(4)中。

3.根据权利要求1所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的灯罩(1)由灯杯(8)和透盖(9)组成,灯杯(8)下部与发光半导体芯片托架(2)固定连接,灯杯(8)上端开口,其通过开口与透盖(9)固定连接并形成封闭空腔(4),发光半导体芯片(3)位于封闭空腔(4)中。

4.根据权利要求2或3所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的封闭空腔(4)为真空或填充有惰性气体。

5.根据权利要求2或3所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的灯罩(1)表面涂有变光材料、在灯罩材料中掺有变光材料或者在所述密闭空腔(4)中充入可改变光色的气体。

6.根据权利要求5所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的变光材料为荧光粉。

7.根据权利要求2或3所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的灯罩(1)由透光的导热材料制成。

8.根据权利要求7所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的导热材料为玻璃、微晶玻璃或者纳米陶瓷。

9.根据权利要求2或3所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的半导体托架(2)上固定有至少一个发光半导体芯片(3),发光半导体芯片托架(2)表面复合有能制成印刷电路(7)的材料,一个或多个发光半导体芯片(3)固定在印刷电路(7)上。

10.根据权利要求9所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光半导体芯片托架(2)为金属或非金属,表面呈平面、弧面状或不规则形状,发光半导体芯片(3)与电路连接。

11.根据权利要求10所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的发光半导体芯片托架(2)表面设置有至少一个向内凹陷的反光杯(5),发光半导体芯片(3)安置在反光杯(5)内。

12.根据权利要求10所述的发光半导体芯片的封装结构,其特征在于:所述的灯罩(1)部分或全部包裹发光半导体芯片托架(2)。

13.一种发光半导体芯片的封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

A、将变光材料与透光的导热材料混合,通过传统的制造工艺一次成型灯罩(1),或者在已成型的透光灯罩的表面喷涂变光材料;

B、将发光半导体芯片(3)固定在发光半导体芯片托架(2)上;

C、将灯罩(1)与固定有发光半导体芯片(3)的发光半导体芯片托架(2)联接;

D、对灯罩(1)下部进行加热,使其熔化缩口并紧贴在发光半导体芯片托架(2)外壁,形成密封空腔(4),同时将密封空腔(4)抽真空,或者往密封空腔(4)填充惰性气体,或者在密封空腔(4)中注入可变色气体。

14.根据权利要求11所述的发光半导体芯片的封装方法,其特征在于:所述的步骤B中,其固定方式为压边固定、焊接、胶粘或卡接。

15.根据权利要求11所述的发光半导体芯片的封装方法,其特征在于:所述的步骤C中,在对灯罩(1)下部进行加热时,在加热点与发光半导体芯片3间设立隔热板、或对加热点靠近发光半导体芯片(3)一侧进行即时冷却。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于敬俊,未经敬俊许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010247894.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top