[发明专利]在半导体芯片中构造MIM电容器的方法和MIM电容器有效
| 申请号： | 201010248569.1 | 申请日： | 2010-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101996864A | 公开（公告）日： | 2011-03-30 |
| 发明（设计）人： | 夏为;陈向东;阿基拉·易托 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/92;H01L21/82;H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 蔡晓红;纪媛媛 |
| 地址： | 美国加州尔湾市奥尔顿公园*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 构造 mim 电容器 方法 | ||
1.一种在半导体芯片中构造MIM电容器的方法，其特征在于，包括：
在基板上构造电介质一部以及在所述电介质一部上构造金属一部，所述金属一部形成所述MIM电容器的下电极；
在所述金属一部上构造电介质二部以及在所述电介质二部上构造金属二部，所述金属二部的一部分形成所述MIM电容器的上电极；
所述金属一部包括第一栅极金属。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属二部包括第二栅极金属。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一栅极金属不同于第二栅极金属。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电介质一部形成于所述基板中的隔离区域上。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法进一步包括：
在所述金属二部上形成多晶硅层；以及
对所述多晶硅层、所述金属二部以及所述电介质二部进行图案形成处理以形成MIM电容器堆栈，其中所述MIM电容器堆栈包括覆盖所述金属二部的所述一部分的多晶硅部。
6.一种半导体芯片中的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器包括：
位于基板上的所述MIM电容器的下电极，所述MIM电容器的下电极包括第一栅极金属；
位于所述MIM电容器的所述下电极上的MIM电容器电介质；
位于所述MIM电容器电介质上的所述MIM电容器的上电极。
7.根据权利要求6所述的MIM电容器，其特征在于，其中所述MIM电容器的上电极包括第二栅极金属。
8.根据权利要求7所述的MIM电容器，其特征在于，所述第一栅极金属不同于第二栅极金属。
9.根据权利要求6所述的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器的所述下电极位于所述基板中的隔离区域上
10.根据权利要求6所述的MIM电容器，其特征在于，所述MIM电容器进一步包括位于所述MIM电容器的所述上电极上的多晶硅部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美国博通公司，未经美国博通公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010248569.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
