[发明专利]改进多层单元NAND闪速存储器的性能的方法和系统无效
| 申请号： | 201010248820.4 | 申请日： | 2010-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN101989232A | 公开（公告）日： | 2011-03-23 |
| 发明（设计）人： | R·E·弗里奇三世;J·M·休格斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 柯广华;徐予红 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改进 多层 单元 nand 存储器 性能 方法 系统 | ||
1.一种方法，包括：
仅在多层单元(MLC)NAND闪速存储器的一个或多个较低页中存储元数据。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述MLC还包括一个或多个较高页，以及其中所述一个或多个较低页具有比所述一个或多个较高页更快的编程时间。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述元数据与所述MLCNAND闪速存储器中存储的数据相关联。
4.如权利要求3所述的方法，其中所述元数据包括所述数据的逻辑到物理地址映射表和所述数据的属性的信息之一。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述MLC NAND闪速存储器至少部分符合开放NAND闪存接口(ONFI)协议。
6.如权利要求1所述的方法，还包括：
选择所述多层单元(MLC)NAND闪速存储器的所述一个或多个较低页；以及
促进每个所选择的较低页的每个MLC单元仅用作单层单元，其中仅在所述MLC NAND闪速存储器的所述一个或多个较低页中存储所述元数据包括仅在所述MLC NAND闪速存储器的所选择的一个或多个较低页中存储所述元数据。
7.一种控制器，包括：
执行以下操作的逻辑：
分配多层单元(MLC)NAND闪速存储器的至少一个存储器页以存储在所述MLC NAND闪速存储器中存储的数据的元信息；以及
仅在所述MLC NAND闪速存储器的所述至少一个分配的存储器页中存储所述数据的所述元信息。
8.如权利要求7所述的控制器，其中所述MLC NAND闪速存储器逻辑具有多个较低页和多个较高页，其中所述至少一个分配的存储器页是所述MLC NAND闪速存储器的多个较低页之一，以及其中所述多个较低页具有比所述多个较高页更快的编程速度。
9.如权利要求7所述的控制器，其中所述逻辑还要更新所述数据的所存储的元信息。
10.如权利要求7所述的控制器，其中所述逻辑还要将所述多层单元(MLC)NAND闪速存储器的所述至少一个分配的存储器页的每个MLC仅作为单层单元(SLC)来存取。
11.如权利要求7所述的控制器，其中所述元信息包括所述数据的逻辑到物理地址映射表和所述数据的属性的信息之一。
12.如权利要求7所述的控制器，其中所述MLC NAND闪速存储器至少部分符合开放NAND闪存接口(ONFI)协议。
13.如权利要求7所述的控制器，其中所述逻辑是所述控制器中的固件。
14.一种设备，包括：
多层单元(MLC)NAND闪速存储器，具有页的第一集合和页的第二集合，其中页的所述第一集合的每个页具有比页的所述第二集合的每个页更低的编程等待时间；以及
控制器，与所述MLC NAND闪速存储器耦合，用于仅在页的所述第一集合的至少一个页中存储元数据。
15.如权利要求14所述的设备，其中所述元数据与所述MLCNAND闪速存储器的页的所述第二集合或页的所述第一集合中存储的数据相关联。
16.如权利要求14所述的设备，其中所述控制器还要更新所存储的元数据。
17.如权利要求15所述的设备，其中所述元数据包括所述数据的逻辑到物理地址映射表和所述数据的属性的信息之一。
18.如权利要求14所述的设备，其中所述设备至少部分符合开放NAND闪存接口(ONFI)协议。
19.如权利要求14所述的设备，其中所述控制器还要将页的所述第一集合的所述至少一个页的每个MLC仅作为单层单元(SLC)来利用。
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