[发明专利]半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，更详细而言，涉及适合应用于表面具有突出的凹凸的半导体晶圆的半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法。

背景技术

在对半导体晶圆的背面实施研磨磨削加工的背磨工序、将晶圆切断成各个芯片(chip)的切割工序中，会招致图案面的损伤、磨削碎渣及磨削水等引起的污染等。

另外，由于半导体晶圆自身壁薄、脆，而且半导体晶圆的图案表面具有凹凸状的电极等，因此存在即使是很小的外力也容易导致破损的问题。

为了保护这种半导体晶圆在加工时的电路图案形成面及防止半导体晶圆的污染、破损等，已知的有在半导体晶圆的图案面粘贴背磨带等粘合片的方法(例如，专利文献1：2005-303068号公报)。

通常，通过使这种背磨带追随半导体晶圆的电路图案形成面的表面凹凸，将凹凸间用粘合剂层填满，从而防止磨削水或异物浸入图案形成面，防止研磨中及研磨后晶圆的裂纹。

但是，随着近年来半导体装置的小型化、高密度化等，半导体晶圆的表面的电路图案表面的凹凸高度正变得更高，凹凸间距正变得更小。例如，在带聚酰亚胺膜的晶圆中，凹凸之差为1～20μm左右。另外，用于识别不良半导体芯片的不良标记(bad mark，坏的标记)具有高低差10～70μm左右的凹凸。进而，在图案状的电极上形成的凸块中，有高度20～200μm左右、直径100μm左右、间距200μm左右以下的凸块。

因此，在使用现有的粘合片的方法中，薄片不能充分地追随这些凹凸，粘合剂与晶圆表面之间的粘接不够充分。其结果是，在晶圆加工时，有时产生薄片的剥离、磨削水及异物等浸入图案面、加工失误、凹痕、产生芯片飞散等，进而晶圆破损。

另外，将粘合片从半导体晶圆剥离时，有时埋入凹凸间的粘合剂断裂，半导体晶圆侧产生残胶。特别是，为了使粘合片良好地追随凹凸而使用比较柔软的粘合剂时，存在更显著地产生残胶的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：2005-303068号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而进行的，其目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片可有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。

用于解决问题的方案

本发明人等对伴随近年来半导体装置的小型化、高密度化等的半导体晶圆的电路图案形成面的凹凸的增大、这种凹凸面上粘贴的粘合片的各种特性、粘合片在凹凸面的粘贴状态等进行了深入研究。其结果发现，与其让粘合片完全追随高低差更加增大、间距更加缩小的半导体晶圆的凹凸，不如通过控制追随性来适度调整粘合剂层与凹凸的接触面积，并且使粘合剂层与中间层一起达到平衡而具有适度的厚度、弹性模量和/或断裂应力等，由此能够极力降低粘合剂层的残胶，从而完成了本发明。

即，本发明的半导体晶圆保持保护用粘合片，其特征在于，

该粘合片用于粘贴在半导体晶圆表面来保持保护半导体晶圆，

中间层及粘合剂层以该顺序配置在基材层的单面，

前述粘合剂层利用辐射线固化型粘合剂以厚度1～50μm而形成，且断裂应力为0.5～10MPa，

前述中间层以厚度10～500μm而形成，且弹性模量为0.01～3MPa。

这种半导体晶圆保持保护用粘合片中，基材的弹性模量优选为10～10000kPa。

粘合剂层优选在粘贴工序时具有1.0～20N/20mm的粘合力。

粘合剂层优选含有丙烯酸系聚合物作为构成材料。

粘合剂层优选含有分子内具有碳-碳双键的辐射线固化型的丙烯酸系聚合物。

粘合剂层优选为分子内含有辐射线固化型低聚物的辐射线固化型粘合剂层。

另外，本发明的半导体晶圆的背面磨削方法，其特征在于，该半导体晶圆的背面磨削方法在将上述半导体晶圆保持保护用粘合片的粘合剂层粘贴于布有电路图案的一侧的半导体晶圆的表面的状态下，对半导体晶圆的背面进行磨削加工，

电路图案具备高出前述半导体晶圆表面15μm以上的凹凸。

发明效果

根据本发明的粘合片，能够有效地防止因近年来半导体晶圆的图案形成面中的凹凸引起的残胶。