[发明专利]一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术

权利要求书

1.一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术，其特征是，在半导体光电转换器件中，半导体材料的前表面上的抗光反射层是，包括有两层透明介质薄膜层和夹在这两层之间的超薄金属薄膜层结构的抗光反射层，超薄金属薄膜层的厚度小于10nm。

2.根据权利要求1所述的一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术，其特征是，在半导体光电转换器件中的半导体材料前表面上，抗光反射层中的超薄金属薄膜层与半导体光电转换器件的电极隔离。

3.根据权利要求1所述的一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术，其特征是，半导体材料表面是光学表面，或者是非光学平面。

4.根据权利要求1所述的一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术，其特征是，抗光反射层中的各透明介质薄膜层的厚度，包括两层透明介质薄膜层和夹在这两层中间的超薄金属薄膜层的厚度要调整，满足抗光反射的干涉相消的条件。

5.根据权利要求1所述的一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术，其特征是，超薄金属薄膜层上面一层的透明介质薄膜层也可以是导电的透明氧化物薄膜层。

6.根据权利要求1和5所述的一种抗半导体材料表面光反射的多层膜技术，其特征是，超薄金属薄膜层上层氧化物透明导电薄膜层与半导体光电转换器件的电极隔离。