[发明专利]一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术

权利要求书

1.一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质层表面上增加透明的导电薄膜层，并在透明的导电薄膜层上施加半导体光电探测器工作的辅助电压。

2.一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，在半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质层表面上，增加透明的导电薄膜层可以是单层的增加透明的导电薄膜层，也可以是多透明的导电薄膜层结构的透明的导电薄膜层。

3.根据权利要求1所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，半导体光电探测器是用半导体材料制造的光电探测器，光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层是单层，或者多层结构的钝化掩膜层。

4.根据权利要求3所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层与其下面半导体的交界面是光学平面，或者非光平面。

5.根据权利要求1所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，增加的透明导电薄膜层和其接触电极与半导体光电探测器的电极隔离。

6.根据权利要求1所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，透明的导电薄膜层与半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层的交界面是光学平面，或者非光平面。

7.根据权利要求1和3所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层上增加的透明导电薄膜层的厚度和半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层的厚度要调节，满足抗短波段光反射的干涉相消条件。

8.根据权利要求1和3所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质掩膜层下层的半导体是p型半导体时，在增加的透明导电薄膜层上施加负的辅助电压。

9.根据权利要求1和3所述的一种提高半导体光电探测器短波响应度的技术，其特征是，半导体光电探测器前表面的透明绝缘介质层下层的半导体是n型半导体时，在增加的透明导电薄膜层上施加正的辅助电压。