[发明专利]多模态的传送输出电路有效
申请号: | 201010249800.9 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102376288A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 施俊仰;叶俊文;刘先凤 | 申请(专利权)人: | 晨星软件研发(深圳)有限公司;晨星半导体股份有限公司 |
主分类号: | G09G5/00 | 分类号: | G09G5/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 施浩 |
地址: | 518057 广东省深圳市高新区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多模态 传送 输出 电路 | ||
1.一种传送输出电路,包含有:
一对驱动电路;以及
一对通用电路,耦接于该对驱动电路;
其中,当该传送输出电路运作于一第一传送模态时,每一该通用电路根据一输入信号以决定是否导通;当该传送输出电路运作于一第二传送模态时,每一该通用电路根据一控制信号以形成一终端电阻。
2.如权利要求1所述的传送输出电路,其特征在于:
每一该驱动电路具有一驱动输入端与一驱动输出端;
每一该通用电路具有一控制端与一通用端,每一该通用端耦接于每一该驱动输出端;当该传送输出电路运作于该第一传送模态,该控制端与该通用端导通而产生该驱动电流,当该传送输出电路运作于该第二传送模态,该控制端与该通用端间产生该终端电阻。
3.如权利要求2所述的传送输出电路,其特征在于,更包含有:
一切换电路,耦接于该些通用电路的其中之一;
其中,当该传送输出电路运作于该第一传送模态时,该切换电路成为一通路;当该传送输出电路运作于该第二传送模态时,该切换电路将一预设电压导通以提供该控制信号。
4.如权利要求3所述的传送输出电路,其特征在于,该切换电路包含一切换输入端以及一耦接端,该耦接端系耦接至该对通用电路其一的该控制端,该切换电路更包含:
一第一开关,耦接于该切换输入端与该耦接端之间;该第一开关在该第一传送模态时导通;以及
一第二开关,耦接于该预设电压与该耦接端之间;该第二开关在该第二传送模态时导通。
5.如权利要求4所述的传送输出电路,其特征在于,该切换电路更包含:
一第三开关,耦接于一第二预设电压与该耦接端之间;该第三开关在一省电模态时导通。
6.如权利要求4所述的传送输出电路,其特征在于,更包含一对切换电路连接至该对通用电路的该等控制端,其中于该第一传送模态时,该对切换电路分别接收互斥的一对信号并传送至该等通用电路端的该等控制端。
7.如权利要求2所述的传送输出电路,其特征在于,每一该驱动电路包含有一n通道金属氧化物半导体晶体管,其栅极耦接于该驱动输入端,而其漏极耦接于该驱动输出端。
8.如权利要求7所述的传送输出电路,其特征在于,每一该驱动电路更包含:
一第二晶体管,具有一第一端、一第二端与一第三端;该第二端与该第三端分别耦接于该n通道金属氧化物半导体晶体管与该驱动输出端;以及
一反馈电路,耦接于该第一端与该第三端之间,以根据该第三端的信号大小对应地变化调整该第一端的电压。
9.如权利要求2所述的传送输出电路,其特征在于,每一该通用电路包含有一p通道金属氧化物半导体晶体管,其栅极耦接于该控制端,而其漏极耦接于该通用端。
10.如权利要求9所述的传送输出电路,其特征在于,每一该通用电路更包含一电阻,耦接于该p通道金属氧化物半导体晶体管的漏极与该通用端之间。
11.如权利要求10所述的传送输出电路,其特征在于,每一该通用电路更包含一n通道金属氧化物半导体晶体管,其漏极与源极分别耦接于该p通道金属氧化物半导体晶体管的漏极与源极的其中之一。
12.如权利要求9所述的传送输出电路,其特征在于,该p通道金属氧化物半导体晶体管为一浮接n型井的p通道金属氧化物半导体晶体管,而每一该通用电路更包含:
一控制电路,耦接于该p通道金属氧化物半导体晶体管的栅极与漏极之间。
13.如权利要求1所述的传送输出电路,其特征在于,更包含有:
一共耦电路,耦接于该些通用电路;
其中,当该传送输出电路运作于该第一传送模态时,该共耦电路向该些通用电路提供一电流;当该传送输出电路运作于一第二传送模态时,该共耦电路系将该些通用电路导通至一工作电压。
14.如权利要求1所述的传送输出电路,其特征在于,更包含有:
一共耦电路,耦接于该些驱动电路,选择性地向该些驱动电路提供一电流。
15.如权利要求1所述的传送输出电路,其特征在于,该传送输出电路运作于一第三传送模态时,该等通用电路分别根据多个输入信号以决定是否导通,该等输入信号互相独立。
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