[发明专利]电子组件及其制法、螺旋电感组件及其制法无效

专利信息
申请号: 201010249802.8 申请日: 2010-08-04
公开(公告)号: CN102376700A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 陈家豪 申请(专利权)人: 立积电子股份有限公司
主分类号: H01L27/00 分类号: H01L27/00;H01L21/70;H01L21/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 魏晓刚
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电子 组件 及其 制法 螺旋 电感
【说明书】:

技术领域

发明关于一种电子组件,且特别是关于一种具有开口(opening)的电子组件。

背景技术

许多数字与模拟组件已成功地应用于半导体集成电路(integrated circuits,ICs)。上述组件包括了无源组件,例如电阻、电容或电感等。典型的集成电路包括一基底,一层以上的介电层(或绝缘层)形成在基底上,以及一层以上的金属层形成在介电层中与介电层上,这些金属层可借由现行的半导体制程技术而形成芯片内建组件,例如芯片内建电感(on-chip inductor)。

传统的螺旋电感组件形成在基底上方的绝缘层中,其中电感借由导电插塞(conductive plug)、导电层与信号输入/输出端口与外部的电路电性连接。平面型螺旋电感的优点在于,可借由减少外部电路组件数量与其所需的复杂内联机构,而增加电路的集成度。

在螺旋电感中,用以评估电感的参数为品质因数(quality factor/Q value),目前已知有三个因素会影响电感的品质因数,主要为集肤效应(skin effect)、基板的涡电流(substrate eddy current)与线圈的涡电流(coil eddy current)。

为了改善集肤效应的损失(loss),可以加宽或加厚螺旋导线。为了改善基板涡电流的损失,可以在螺旋导线与基底之间设置一接地的金属屏蔽层(metal shielding layer)。然而,目前没有任何方法可以改善线圈的涡电流损失。

由于电感组件的效能取决于品质因数,因此,业界需要发展一种电感组件,以改善线圈的涡电流损失。

发明内容

本发明提供一种电子组件,包括:一基底;以及一导线图案(conductivetrace pattern),形成在该基底上,其中该导线图案具有一开口(opening),且该基底暴露在该开口中。

本发明另提供一种螺旋电感组件,包括:一基底;以及一螺旋导线图案,其为多匝式,形成在该基底上,其中该螺旋导线图案具有一开口(opening),且该基底暴露在该开口中。

本发明还包括一种电子组件的制法,包括以下步骤:提供一基底;以及形成一导线图案在该基底上,其中该导线图案具有一开口(opening),以使该基底暴露在该开口中。

本发明又包括一种螺旋电感组件的制法,包括以下步骤:提供一基底;以及形成一螺旋导线图案在该基底上,其中该螺旋导线图案为多匝式且具有一开口(opening),以使该基底暴露在该开口中。

为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出优选实施例,并配合附图,作详细说明如下:

附图说明

图1A为一俯视图,用以说明本发明一实施例的电子组件。

图1B~图1C为一系列剖面图,用以说明本发明一实施例的电子组件。

图1D为一俯视图,用以说明本发明另一实施例的电子组件。

图2A为一俯视图,用以说明本发明一实施例的螺旋电感组件。

图2B为一剖面图,用以说明本发明一实施例的螺旋电感组件。

图2C为一俯视图,用以说明本发明另一实施例的螺旋电感组件。

主要组件符号说明

10~基底

20~导线图案

20a~第一端点

20b~第二端点

21~第一部分

22~第二部分

30~开口(opening)

Lo~开口的长度

Lc~导线的长度

D~开口的深度

d~导线图案的厚度

WA~第一部分的宽度

WB~第二部分的宽度

100~基底

200~螺旋导线图案

200a~内匝端点

200b~外匝端点

300~开口(opening)

P~螺旋导线图案的相邻匝的间距值

S~开口的宽度值

Wm~螺旋导线图案的宽度值

W1a、W1b~第一部分的宽度

W2a、W2b~第二部分的宽度

具体实施方式

请参见图1A-图1C,其显示本发明实施例的电子组件,其中图1A显示电子组件的俯视图,图1B显示沿图1A1B-1B’线的剖面图,图1C显示沿着图1A1C-1C’线的剖面图。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于立积电子股份有限公司,未经立积电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010249802.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top