[发明专利]电子组件及其制法、螺旋电感组件及其制法无效
申请号: | 201010249802.8 | 申请日: | 2010-08-04 |
公开(公告)号: | CN102376700A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 陈家豪 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L21/70;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 魏晓刚 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 组件 及其 制法 螺旋 电感 | ||
技术领域
本发明关于一种电子组件,且特别是关于一种具有开口(opening)的电子组件。
背景技术
许多数字与模拟组件已成功地应用于半导体集成电路(integrated circuits,ICs)。上述组件包括了无源组件,例如电阻、电容或电感等。典型的集成电路包括一基底,一层以上的介电层(或绝缘层)形成在基底上,以及一层以上的金属层形成在介电层中与介电层上,这些金属层可借由现行的半导体制程技术而形成芯片内建组件,例如芯片内建电感(on-chip inductor)。
传统的螺旋电感组件形成在基底上方的绝缘层中,其中电感借由导电插塞(conductive plug)、导电层与信号输入/输出端口与外部的电路电性连接。平面型螺旋电感的优点在于,可借由减少外部电路组件数量与其所需的复杂内联机构,而增加电路的集成度。
在螺旋电感中,用以评估电感的参数为品质因数(quality factor/Q value),目前已知有三个因素会影响电感的品质因数,主要为集肤效应(skin effect)、基板的涡电流(substrate eddy current)与线圈的涡电流(coil eddy current)。
为了改善集肤效应的损失(loss),可以加宽或加厚螺旋导线。为了改善基板涡电流的损失,可以在螺旋导线与基底之间设置一接地的金属屏蔽层(metal shielding layer)。然而,目前没有任何方法可以改善线圈的涡电流损失。
由于电感组件的效能取决于品质因数,因此,业界需要发展一种电感组件,以改善线圈的涡电流损失。
发明内容
本发明提供一种电子组件,包括:一基底;以及一导线图案(conductivetrace pattern),形成在该基底上,其中该导线图案具有一开口(opening),且该基底暴露在该开口中。
本发明另提供一种螺旋电感组件,包括:一基底;以及一螺旋导线图案,其为多匝式,形成在该基底上,其中该螺旋导线图案具有一开口(opening),且该基底暴露在该开口中。
本发明还包括一种电子组件的制法,包括以下步骤:提供一基底;以及形成一导线图案在该基底上,其中该导线图案具有一开口(opening),以使该基底暴露在该开口中。
本发明又包括一种螺旋电感组件的制法,包括以下步骤:提供一基底;以及形成一螺旋导线图案在该基底上,其中该螺旋导线图案为多匝式且具有一开口(opening),以使该基底暴露在该开口中。
为让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂,下文特举出优选实施例,并配合附图,作详细说明如下:
附图说明
图1A为一俯视图,用以说明本发明一实施例的电子组件。
图1B~图1C为一系列剖面图,用以说明本发明一实施例的电子组件。
图1D为一俯视图,用以说明本发明另一实施例的电子组件。
图2A为一俯视图,用以说明本发明一实施例的螺旋电感组件。
图2B为一剖面图,用以说明本发明一实施例的螺旋电感组件。
图2C为一俯视图,用以说明本发明另一实施例的螺旋电感组件。
主要组件符号说明
10~基底
20~导线图案
20a~第一端点
20b~第二端点
21~第一部分
22~第二部分
30~开口(opening)
Lo~开口的长度
Lc~导线的长度
D~开口的深度
d~导线图案的厚度
WA~第一部分的宽度
WB~第二部分的宽度
100~基底
200~螺旋导线图案
200a~内匝端点
200b~外匝端点
300~开口(opening)
P~螺旋导线图案的相邻匝的间距值
S~开口的宽度值
Wm~螺旋导线图案的宽度值
W1a、W1b~第一部分的宽度
W2a、W2b~第二部分的宽度
具体实施方式
请参见图1A-图1C,其显示本发明实施例的电子组件,其中图1A显示电子组件的俯视图,图1B显示沿图1A1B-1B’线的剖面图,图1C显示沿着图1A1C-1C’线的剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的