[发明专利]发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 201010250186.8 申请日: 2010-08-11
公开(公告)号: CN102376842A 公开(公告)日: 2012-03-14
发明(设计)人: 董朝宪;裴建昌 申请(专利权)人: 亿广科技(上海)有限公司;亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/56;H01L33/54
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 郭蔚
地址: 201203 上海市张江*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,包括:

一基底;

至少一发光二极管芯片,配置于该基底上并与该基底电性连接;

一挡板,配置于该基底上并环绕该发光二极管芯片,该挡板具有一开口以暴露出该发光二极管芯片,该挡板的材质包括一不透明的吸光材料;以及

一透光盖板,配置于该挡板上并覆盖该挡板的开口。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该挡板具有一内侧及一第一上表面,该发光二极管芯片具有一第二上表面及一离该内侧最远的侧边,该内侧及该第一上表面之间具有一第一端点,该侧边及该第二上表面之间具有一第二端点,该第一端点与该第二端点之间具有一联机,该联机与该第二上表面之间具有一夹角θ,该夹角θ不大于30度(30°)。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该挡板具有一内侧,该发光二极管芯片具有一离该内侧最远的侧边,该内侧与该侧边之间具有一间隔距离D,该挡板与该发光二极管芯片之间具有一高度差T,该高度差T与该间隔距离D的比值不大于正切函数30度(tan 30°)。

4.一种发光二极管封装结构,包括:

一承载器,具有一凹槽;

至少一发光二极管芯片,配置于该承载器的凹槽中,并与该承载器电性连接;以及

一盖板,配置于该承载器上并覆盖该凹槽,该盖板具有一透光区与一围绕该透光区的不透光区,该发光二极管芯片所发出的光线经由该透光区射出。

5.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该不透光区具有一内侧及一第一上表面,该发光二极管芯片具有一第二上表面及一离该内侧最远的侧边,该内侧与该第一上表面之间具有一第一端点,该侧边与该第二上表面之间具有一第二端点,该第一端点与该第二端点之间具有一联机,该联机与该第二上表面之间具有一夹角θ,该夹角θ不大于20度(20°)。

6.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该不透光区具有一内侧,该发光二极管芯片具有一离该内侧最远的侧边,该内侧与该侧边之间具有一水平间隔距离D,该盖板与该发光二极管芯片之间具有一高度差T,该高度差T与该水平间隔距离D的比值不大于正切函数20度(tan 20°)。

7.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该盖板包括:

一透光板,配置于该承载器上并覆盖该承载器的凹槽;以及

一不透光结构,配置于该透光板上并位于该不透光区内,该不透光结构具有一开口以暴露出该透光板的位于该透光区中的部分。

8.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该盖板包括:

一透光板,配置于该承载器上并覆盖该承载器的凹槽;以及

一不透光结构,配置于该透光板及该承载器之间,并位于该不透光区内,该不透光结构具有一开口以分别对应于该承载器的凹槽以及该透光板的位于该透光区中的部分。

9.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该不透光区更包覆该承载器的侧壁。

10.根据权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于,该承载器包括:

一基底,该发光二极管芯片设置于该基底上且与该基底电性连接;以及

一挡板,配置于该基底上,并具有一开口以暴露出该发光二极管芯片,该挡板的开口与该基底构成该凹槽,该挡板的材质包括一不透明的吸光材料,该发光二极管芯片设置于该开口中,该盖板设置于该挡板上并覆盖该挡板的开口。

11.一种发光二极管封装结构,包括:

一承载器,具有一凹槽;

至少一发光二极管芯片,配置于该承载器的凹槽中,并与该承载器电性连接;

一透光盖板,配置于该承载器上并覆盖该承载器的凹槽;以及

一吸光层,配置在该透光盖板上并具有一开口,该发光二极管芯片所发出至少一部分光线通过该透光盖板并经该吸光层的开口而射出。

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