[发明专利]提高光刻胶抗刻蚀能力的方法

权利要求书

1.一种提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，包括下列步骤：

提供一半导体衬底；

在所述半导体衬底上涂布底部抗反射涂层；

在所述底部抗反射涂层上涂布光刻胶；

对所述光刻胶进行曝光、显影，露出部分底部抗反射涂层；

对所述露出的底部抗反射涂层进行刻蚀，直至露出所述半导体衬底；

利用低温淀积二氧化硅技术，在上述结构外表面淀积二氧化硅薄膜；

对所述二氧化硅薄膜进行干法回刻刻蚀操作，形成二氧化硅保护侧墙。

2.根据权利要求1所述的提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，所述低温淀积二氧化硅技术的淀积温度为100～200度。

3.根据权利要求2所述的提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，所述低温淀积二氧化硅技术的淀积温度为150度。

4.根据权利要求1所述的提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，所述低温淀积二氧化硅技术所淀积的二氧化硅薄膜厚度为1纳米～1000纳米。

5.根据权利要求4所述的提高光刻胶抗刻蚀能力的方法，其特征在于，所述低温淀积二氧化硅技术所淀积的二氧化硅薄膜厚度为50纳米。