[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本申请是申请号为“200680039739.7”(国际申请号为PCT/JP2006/322358)，申请日为“2006年11月9日”，发明名称为“半导体器件的制造方法以及半导体器件”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法以及半导体器件技术，特别是涉及半导体晶片的切割(dicing)技术。

背景技术

近年来，伴随着以便携电话及数码相机等所代表的移动式设备或者以存储卡等所代表的信息存储介质的小型轻量化，它们中所装入的半导体芯片的薄型化正在不断发展。为此，在切割工序中，通过切断较薄的半导体晶片而得到各个较薄的半导体芯片，但若在此切割工序中采用刀片切割方式，则由于半导体晶片较薄所以存在半导体芯片中易于发生崩刃，较薄的半导体芯片的抗折强度显著降低的问题。另外，从半导体器件的工作速度改善的观点来看，有使用介电常数比氧化硅还低的低介电常数膜(所谓的Low-k膜)作为半导体芯片的布线层间绝缘膜的产品，但Low-K膜较脆易于剥落以及在内部具有微少的气泡，在刀片切割方式中有时候无法很好地进行切断。

因而，作为回避这些问题的新切割方式，隐形切割(Stealth Dicing)方式正得到人们的关注。该隐形切割方式是对半导体晶片内部照射激光束有选择地形成改质层，并将该改质层作为分割起点来切断半导体晶片的切割方式。根据这一方式，即便是厚度30μm左右的极薄半导体晶片，也能够在物理上不给与应力地直接进行切断，所以能够减少崩刃，并能够抑制半导体芯片的抗折强度的降低。另外，由于不管半导体晶片的厚度如何，都能进行每秒300mm以上的高速切割，所以还能够使生产率提高。从而，在半导体芯片的薄型化上隐形切割方式是必须的技术。

关于这种隐形切割技术，例如记载于日本特开2004-221286号公报(专利文献1)中。该专利文献1的0022段和图1中公开了在芯片间的区域上在测试用焊盘的两侧设置布线层的结构。此布线层不是进行电耦合而是用于使激光光线的照射区域均匀化、且、易于吸收激光光线的虚设图案。另外，该专利文献1的0023段中公开了在半导体晶片的分割上，对形成了上述布线层的区域照射激光光线以熔化半导体晶片来进行切断的方法。另外，此专利文献1的0024段中公开了在半导体晶片的分割中使激光光线的焦点位置对准于半导体晶片内部，在形成利用多格子吸收的熔化处理区域以后，通过热裂法及膨胀法使半导体晶片单片化的方法。

另外，例如在日本特开2005-340426号公报(专利文献2)中公开了在半导体晶片的主面上的测试用接合焊盘形成了槽以后，在半导体晶片的主面上粘贴胶带，从半导体晶片的背面侧照射激光束而在半导体晶片内部形成改质层，进而，之后通过延长胶带以改质层作为起点将半导体晶片分割成单个半导体芯片的隐形切割技术。

另外，例如在日本特开2005-32903号公报(专利文献3)中公开了通过刀片除去半导体晶片的主面上的测试用电极焊盘等以后，从半导体晶片的主面侧照射激光束而在半导体晶片内部形成改质层，进而，之后通过延长切割胶带以改质层作为起点将半导体晶片分割成单个半导体芯片的隐形切割技术。

专利文献1：日本特开2004-221286号公报(0022段～0024段以及图1)

专利文献2：日本特开2005-340426号公报

专利文献3：日本特开2005-32903号公报

发明内容

但是，在上述隐形切割方式中，本发明人发现了以下问题。

首先，本发明人对在隐形切割方式中分割半导体晶片时采用膨胀方式的情况进行了探讨。该膨胀方式是通过将粘贴了半导体晶片的树脂片从半导体晶片的中心向朝着外周的方向拉伸而将半导体晶片分割成单个半导体芯片的方式。但是，虽然在切割区域配置有例如由铝而形成的测试用焊盘，但在膨胀方式的情况下，存在该测试用焊盘拉伸而被切断时在其切断面部分将会形成胡须状的导体线的问题。

因而，本发明人取代膨胀方式而采用了折弯方式。该折弯方式是通过在相对于半导体晶片的主面成交叉的方向上施加力将半导体晶片折弯而将半导体晶片分割成单个半导体芯片的方式。在这种方式的情况下，上述胡须状的导体线被形成的问题将减少。但是，如图65所示那样，新产生了如下问题，即，比起检查用焊盘，检查用焊盘不存在的绝缘层部分由于机械上较弱，所以避开检查用焊盘，裂缝CRK进入而在绝缘层部分被切断，以及在切割区域的检查用焊盘间的绝缘层部分切断线不确定而蜿蜒延伸。特别是在绝缘层上使用了较脆易于剥落的上述Low-k膜的情况下，即使采用折弯方式，也会存在在Low-k膜的分割部分发生形状不良，无法很好地进行切割的问题。