[发明专利]一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构有效

专利信息
申请号: 201010251511.2 申请日: 2010-08-11
公开(公告)号: CN101963736A 公开(公告)日: 2011-02-02
发明(设计)人: 张冶金;郑婉华;渠红伟;陈良惠 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02F1/365 分类号: G02F1/365;G02F1/355;G02B6/122
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 光子 晶体 空气 结构 波导
【权利要求书】:

1.一种基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,其特征在于,该慢光波导结构采用线缺陷光子晶体结构,包括纵向结构及横向结构,纵向结构为空气桥多层结构,从顶层到底层依次为空气层/半导体材料层/空气层/衬底材料层,横向结构采用三角晶格结构,周期为P,半径为R,通过去掉一行孔形成波导。

2.根据权利要求1所述的基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,其特征在于,该慢光波导结构通过调整线缺陷临近孔的半径及波导的宽度来改变慢光区域带宽及中心波长位置。

3.根据权利要求2所述的基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,其特征在于,所述调整线缺陷临近孔的半径及波导的宽度来改变慢光区域带宽及中心波长位置,包括:

当临近孔半径变化时,慢光工作波长位置及范围都将发生变化;当波导临近第一排孔半径变小时,慢光工作范围会向长波方向移动,带宽也将逐渐增大,但带宽增加到一定程度,就不是单模了;当波导宽度缩小时,慢光工作区域会向短波方向移动,工作带宽也将发生变化。

4.根据权利要求1所述的基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,其特征在于,所述纵向结构中的半导体材料层采用硅或磷化铟材料。

5.根据权利要求1所述的基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,其特征在于,所述纵向结构中的半导体材料层具有光子晶体波导,该半导体材料层厚度为250至300纳米。

6.根据权利要求1所述的基于光子晶体空气桥结构的慢光波导结构,其特征在于,所述横向结构采用的三角晶格结构,其周期P为380至420纳米,孔半径R为0.31P,从而使其工作于1550纳米附近的通信波段。

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