[发明专利]SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件及制造方法

权利要求书

1.一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，形成于硅衬底上，有源区由浅槽场氧隔离，其特征在于，所述横向型寄生PNP器件包括：

一基区，由形成于所述有源区中的N型离子注入区组成，所述基区的纵向深度大于所述浅槽场氧底部的深度，所述基区在横向上覆盖了至少两个相邻的由所述浅槽场氧隔离的所述有源区；

一N型埋层，由形成于和所述基区相邻的所述浅槽场氧的底部的N型离子注入区组成，所述N型埋层和所述基区形成接触并通过在所述N型埋层顶部的所述浅槽场氧中做深孔接触引出基极；

一发射区，由形成于所述基区所覆盖的一个所述有源区上的一P型锗硅外延层组成，所述发射区和所述基区形成接触并通过形成于所述发射区顶部的金属接触引出发射极；

一集电区，由形成于所述基区所覆盖且和所述发射区相邻的所述有源区上的一P型锗硅外延层组成，所述集电区和所述基区形成接触并通过形成于所述集电区顶部的金属接触引出集电极。

2.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，其特征在于：所述基区的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为P或As、注入能量为50kev～500kev、剂量为5e11cm^-2～5e13cm^-2。

3.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，其特征在于：所述硅衬底为一P型硅衬底，在所述P型硅衬底上还形成有一N型深阱，所述N型深阱由一N型离子注入区组成，所述N型深阱的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为P、注入能量为500kev～3000kev、剂量为1e14cm^-2～5e15cm^-2。

4.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，其特征在于：所述N型埋层的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为P或As、能量小于15keV、注入剂量为1e14cm^-2～1e16cm^-2。

5.如权利要求1所述的SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件，其特征在于：所述发射区和所述集电区的P型锗硅外延层采用离子注入工艺进行掺杂，掺杂工艺条件为：注入杂质为B或BF₂、注入能量为2kev～30kev、剂量为5e14cm^-2～5e15cm^-2。

6.一种SiGe HBT工艺中的横向型寄生PNP器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、采用刻蚀工艺在硅衬底上形成有源区和浅沟槽；

步骤二、在所述硅衬底上的选定区域进行N型离子注入形成基区；所述基区的纵向深度大于所述浅沟槽底部的深度，所述基区在横向上覆盖了至少两个相邻的由所述浅沟槽隔离的所述有源区；

步骤三、在和所述基区相邻的所述浅沟槽的底部进行N型离子注入形成N型埋层；

步骤四、进行退火工艺，所述N型埋层横向和纵向扩散进入所述有源区中并和相邻的所述基区形成接触；

步骤五、在所述浅沟槽中填入氧化硅形成浅槽场氧；

步骤六、在所述硅衬底上形成一P型锗硅外延层，刻蚀所述P型锗硅外延层并使所述P型锗硅外延层只保留在所述基区所覆盖的所述有源区上；将形成于所述基区所覆盖的一个所述有源区上的P型锗硅外延层作为发射区；将形成于所述基区所覆盖且和所述发射区相邻的所述有源区上的一P型锗硅外延层作为集电区；

步骤七、在所述N型埋层顶部的所述浅槽场氧中形成深孔接触引出基极；在所述集电区上形成一金属接触引出集电极；在所述发射区形成一金属接触引出发射极。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤一中所述硅衬底为P型硅衬底，在所述P型硅衬底上还形成有一N型深阱，所述N型深阱在形成所述浅沟槽后在所述P型硅衬底上进行一N型离子注入形成的，所述N型深阱的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为P、注入能量为500kev～3000kev、剂量为1e14cm^-2～5e15cm^-2。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于：步骤二中形成所述基区的N型离子注入的工艺条件为：注入杂质为P或As、注入能量为50kev～500kev、剂量为5e11cm^-2～5e13cm^-2。