[发明专利]提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法

权利要求书

1.一种提高外延填充和CMP研磨后光刻标记信号的方法，其特征在于，在采用外延工艺填充沟槽形成外延层之后，CMP工艺研磨所述外延层之前，在所述外延层上定义出一光刻标记的位置的步骤，而后依次刻蚀所述外延层、阻挡层和硅衬底形成增加的光刻标记，在下一个层次的光刻中，采用所述增加的光刻标记进行光刻对准及套刻。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述增加的光刻标记刻蚀至硅衬底的深度为10埃至100微米。

3.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述增加的光刻标记的位置定义时，与零层光刻标记制备时采用相同的光刻掩模板。

4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于：在零层光刻标记制备时，只制备部分的曝光单元，用于零层之后光刻层次的光刻对准和套刻；而在增加的光刻标记制备时，采用相同的光刻掩模板制备其余的曝光单元，用作其后光刻层次的光刻对准和套刻。

5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于：所述阻挡层为硅氧化合物、硅氮化合物和硅氮氧化合物中的一种。