[发明专利]半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法

权利要求书

1.一种半导体元件用外延基板，具有：

基底基板；

由至少含有Al和Ga、组成为In_x1Al_y1Ga_z1N(x1+y1+z1＝1)的第一III族氮化物构成的沟道层；

由至少含有In和Al、组成为In_x2Al_y2Ga_z2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物构成的势垒层，

其特征在于，上述势垒层包括表面、从所述表面起在深度方向规定距离范围以内的表面附近部以及从所述表面起在深度方向的距离大于规定距离范围的基部，所述表面的In组成比相对于所述基部的In组成比要小。

2.权利要求1所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，所述规定距离范围大于等于6nm，在将上述基部的上述第二III族氮化物的组成表示为In_x2αAl_y2αGa_z2αN(x2α+y2α+z2α＝1)、将上述表面附近部的上述第二III族氮化物的组成表示为In_x2βAl_y2βGa_z2βN(x2β+y2β+z2β＝1)的情况下，0.9≤x2β/x2α≤0.95。

3.权利要求1或2所述的半导体元件用外延基板，其特征在于，上述第一III族氮化物的组成在由x1＝0、0≤y1≤0.3所确定的范围内，并且，

上述第二III族氮化物的组成是在以InN、AlN和GaN为顶点的三元状态图上，根据上述第一III族氮化物的组成确定的以下各式所表示的直线围成的范围内：

【数1】：

x2=y2-(0.36+0.5y1)1.78=-z2-(0.64-0.5y1)2.78]]>

【数2】：

x2=y2-(0.45+y1)4.5=-z2-(0.55-y1)5.5]]>

【数3】：

x2=-y2-(0.9-0.7y1)4.5=z2-(0.1+0.7y1)3.5]]>

【数4】：

z 2＝0

【数5】：