[发明专利]多层单元或非型闪存的制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种闪存的制作方法，更特别的是涉及一种多层单元或非型闪存的制作方法。

背景技术

随着使用者对移动电话、音乐播放器(MP3 Player)、影音播放器、数字相机、电子书等电子产品功能不断加强下，系统数据量也日益增大，并要求具有稳定且高速的存取速度，闪存的制造厂商因此不断积极增加芯片中内存的密度与存取速度，于是闪存逐渐由单层单元(Single Level Cell，SLC)转向多层单元(Multi Level Cell，MLC)发展。借由MLC的技术，除了生产成本较单层单元低之外，MLC技术更可达到多层高密度的闪存组件而提供更大的储存容量。

NOR闪存具有高速的写入和擦除能力，且有完整地址和数据接口，并可以随机读取，所以NOR闪存适合用于不需要经常更新，例如：BIOS或固件，其具有10,000到1,000,000个擦除周期的寿命。目前NOR型闪存应用的范围，除了个人计算机上的主机板会利用NOR型闪存储存BIOS数据外，手机、掌上型电子装置也会使用NOR型闪存来存放系统数据，借由其高速的读取速度，满足手持装置的开机需求。

发明内容

本发明的一目的在于提出一种容易达到较佳的组件集成度的制作方法。

本发明的另一目的在于提供一种使多层单元或非型闪存具有较佳热预算(thermal budget)及剂量控制的制作方法。

为达上述目的及其它目的，本发明多层单元或非型闪存的制作方法包含以下步骤：形成复数个第一浅沟渠隔离结构与复数个第二浅沟渠隔离结构于一基底上，所述第一浅沟渠隔离结构位于一存储单元区中，所述第二浅沟渠隔离结构位于一周边电路区中，且所述第一浅沟渠隔离结构的深度等于该第二浅沟渠隔离结构的深度，其中，所述第一及二浅沟渠隔离结构的深度为2400至2700埃；形成复数个栅极堆栈结构于该存储单元区中，所述栅极堆栈结构的走向与所述第一浅沟渠隔离结构垂直；进行一自行对准源极制程，以除去位于每一对相邻的所述栅极堆栈结构之间的所述第一浅沟渠隔离结构；以及形成一共源极区于每一对相邻的所述栅极堆栈结构之间的该基底中，以及形成复数个漏极区于每一所述栅极堆栈结构的另一侧的该基底中，其中所述漏极区是以所述第一浅沟渠隔离结构相隔。

于一实施例中，于形成所述漏极区的步骤包含两次注入制程，一砷离子注入制程及一磷离子注入制程；其中，该砷离子注入制程的剂量为2×1015～4×1015(atom/cm2)，能量为40～50(Kev)，该磷离子注入制程的剂量为2×1014～2×1015(atom/cm2)，能量为20～30(Kev)。

借由本发明的制作方法，存储单元区与周边电路区的浅沟渠隔离结构具有相同的深度可使组件间的高集成度容易达成，非自行对准的栅极结构更可使多层单元或非型闪存具有较佳热预算(thermal budget)及较佳的剂量控制，再者，漏极区的注入条件更可降低金属化制程所产生的缺陷并提升内存组件的生产良率。

附图说明

图1至图5为本发明于一实施例中的多层单元或非型闪存于不同步骤的立体示意图。

图6为本发明于一实施例中的多层单元或非型闪存的制作流程图。

【主要组件符号说明】

100基底

101垫氧化层

103掩膜层

105光刻胶层

110第一浅沟渠

111存储单元区

113第一浅沟渠隔离结构

120第二浅沟渠

121周边电路区

123第二浅沟渠隔离结构

140共源极区

142漏极区

150栅极堆栈结构

152穿隧氧化层

154浮栅极

156介质层

158控制栅极

160光刻胶层

161开口

具体实施方式

为充分了解本发明的目的、特征及功效，现借由下述具体的实施例，并配合附图，对本发明做一详细说明，说明如后：