[发明专利]存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种存储装置，其特征在于，包括：

一金属部；

一第一金属氧化物层位于该金属部上，该第一金属氧化物层包括N个电阻层级；

一第二金属氧化物层位于该第一金属氧化物层上，该第二金属氧化物层包括M个电阻层级，其中该存储装置具有X个电阻层级，X＜M+N，用以降低编程干扰。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该存储装置更包括：

一底电极形成于该金属部下；

一顶电极形成于该第二金属氧化物层上；以及

一介电层，形成于该底电极上并环绕该金属部以及该第一金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，该第一金属氧化物层以及该第二金属氧化物层是独立地包括氧化钨WO_X、氧化镍NiO_X、氧化铌NbO_X、氧化铜CuO_X、氧化钽TaO_X、氧化铝AlO_X、氧化钴CoO_X、氧化铁FeO_X、氧化铪HfO_X、氧化钛TiO_X、氧化锶SrO_X、氧化锆ZrO_X、氧化钡BaO_X、氧化锗GeO_X、氧化锡SnO_X、氧化锰MnO_X、氧化锑TeO_X、氧化锑SbO_X、氧化镨PrO_X、氧化钙CaO_X、氧化钼MoO_X、钨硅氧化物WSi_xO_y、氧化硅SiO_x、其类似物或其组合物。

4.根据权利要求1所述的存储装置，其特征在于，N至少为2，M至少为2。

5.一种制造存储装置的方法，其特征在于，包括：

提供一金属部；

于该金属部上形成一第一金属氧化物层，该第一金属氧化物层包括N个电阻层级；以及

于该第一金属氧化物层上形成一第二金属氧化物层，该第二金属氧化物层包括M个电阻层级，其中该存储装置包括X个电阻层级，且X＜M+N，用以降低编程干扰。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该方法更包括：

形成一底电极；

在该基板上形成一介电层；

将该介电层刻蚀出一贯孔，其中一金属层填入该贯孔内而构成该金属部；以及

于该第二金属氧化物层上形成一顶电极。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成该第一金属氧化物层的步骤包括：

氧化一部份的该金属层。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，氧化一部分的金属层的步骤是采用等离子体氧化法。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用等离子体氧化法时通入气体O₂/N₂的比例大于3∶1。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，采用等离子体氧化法时氧化时间介于100秒至2000秒。

11.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该金属部包括钨W、镍Ni、铌Nb、铜Cu、钽Ta、铝Al、钴Co、铁Fe、铪Hf、钛Ti、锶Sr、锆Zr、钡Ba、锗Ge、锡Sn、锰Mn、锑Te、锑Sb、镨Pr、钙Ca、钼Mo、硅Si、其类似物或其组合物。

12.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该第一金属氧化物层的面积介于4×10^-4μm²至1μm²之间。

13.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成该第二金属氧化物层的步骤包括：

将一金属层形成在该第一金属氧化物层以及该介电层上；以及

将该金属层氧化以形成一第二金属氧化物层。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，将该金属层氧化的步骤是采用等离子体氧化法。